类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 620V |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@1.9A,10V |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 550pF@50V |
STU4N62K3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装形式为TO-251-3短引线,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。它的设计目标是提供优越的电气性能和可靠性,特别是在高压大电流环境中,适合用于电源管理、电机驱动以及消费电子等领域。
STU4N62K3 MOSFET的主要技术参数如下:
STU4N62K3 MOSFET适用于多种应用场景,如:
STU4N62K3 MOSFET凭借其出色的性能参数和可靠性,成为电源系统、驱动控制和消费电子领域的理想选择。随着电子设备功率密度的不断增加,STU4N62K3将为设计工程师提供更加高效、稳定的解决方案。该器件广泛适用于各种需提高能源效率和系统可靠性的应用,支持现代电子设计的快速发展与高要求。选择STU4N62K3,意味着选择了一款技术先进、应用广泛的高端MOSFET。