类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 100mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 330mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 40pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVN3310FTA 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 N 通道 MOSFET,优秀的性能使其广泛应用于低电压和中功率的开关电源、功率调节和信号放大等领域。它采用小型的 SOT-23 封装,具有卓越的热性能,适合各种现代电子设备的紧凑布局。
ZVN3310FTA 采用 SOT-23-3 封装,这种封装结构不仅便于表面贴装,也能够有效地降低排热阻抗。小巧的尺寸使其非常适合于小型设备或高密度电路板设计,能够帮助设计师节省空间并提升装配效率。
ZVN3310FTA 是一款性能优良、应用广泛的 N 通道 MOSFET,其高效的导通特性、良好的热稳定性、高电压承受能力以及小型封装,使其在现代电子设计中具备更大的灵活性与适应性。无论是在严格的环境温度下使用,还是在复杂的电源管理系统中,ZVN3310FTA 都能够完美胜任,成为设计师首选的优质元器件。