类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 450V |
连续漏极电流(Id) | 75mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150Ω@10V,50mA |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVP0545GTA 是由 DIODES(美台)公司生产的一款 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于航天、工业控制、汽车电子及各种高压电路中。该器件在多个电子应用领域中具备出色的表现,尤其适合需要小型化和高效能的场合。
ZVP0545GTA 的漏源电压(Vdss)高达 450V,这意味着它可以在极高电压下稳定工作,适合于高压设备和系统。其连续漏极电流(Id)为 75mA,确保在常规运行条件下提供足够的电流承载能力。该器件的最大功率耗散为 2W,在日常应用中能有效地管理和散发热量,从而维持稳定工作。
ZVP0545GTA 的栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4.5V(@ 1mA),这使得该器件能够用较低的栅源电压进行激活,减少了控制电路的复杂性。同时,漏源导通电阻(Rds On)为 150Ω(@ 50mA, 10V),这一特性确保了在开启状态下,器件能有效降低功耗,提高能效并减小热量产生。
该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行,适用于不同的工业环境和应用需求。其耐用性确保了器件在操作中不会因环境因素而失效,延长了产品的使用寿命。
ZVP0545GTA 采用 SOT-223 封装,属于表面贴装型,具有较小的占板面积和良好的散热特性。这种封装形式适应现代电子设备对小型化和高密度安装的需求,使其在轻量化和便于自动化装配中表现优异。
由于 ZVP0545GTA 的高电压和高温适应能力,这款器件在多个领域都有着广泛的应用,包括:
ZVP0545GTA 是一款集高性能、可靠性和多功能于一体的 P 型沟道 MOSFET,具有卓越的电气特性与广泛的应用潜力。其高压能力、适应极端工作环境的能力,以及高效的热管理特性,使其在现代电子设计中成为理想选择。随着对高效能和小型化电子元件需求的不断增长,ZVP0545GTA 无疑将继续在各大领域中发挥重要作用。