ZVP0545GTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZVP0545GTA

商品编码: BM0000284452
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.198g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 450V 75mA 1个P沟道 SOT-223-3
库存 :
2740(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.37
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.37
--
50+
¥1.83
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVP0545GTA参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)75mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150Ω@10V,50mA
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)120pF@25V反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

ZVP0545GTA手册

ZVP0545GTA概述

ZVP0545GTA 产品概述

ZVP0545GTA 是由 DIODES(美台)公司生产的一款 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于航天、工业控制、汽车电子及各种高压电路中。该器件在多个电子应用领域中具备出色的表现,尤其适合需要小型化和高效能的场合。

1. 基本特性

ZVP0545GTA 的漏源电压(Vdss)高达 450V,这意味着它可以在极高电压下稳定工作,适合于高压设备和系统。其连续漏极电流(Id)为 75mA,确保在常规运行条件下提供足够的电流承载能力。该器件的最大功率耗散为 2W,在日常应用中能有效地管理和散发热量,从而维持稳定工作。

2. 驱动和控制

ZVP0545GTA 的栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4.5V(@ 1mA),这使得该器件能够用较低的栅源电压进行激活,减少了控制电路的复杂性。同时,漏源导通电阻(Rds On)为 150Ω(@ 50mA, 10V),这一特性确保了在开启状态下,器件能有效降低功耗,提高能效并减小热量产生。

3. 工作温度与耐用性

该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行,适用于不同的工业环境和应用需求。其耐用性确保了器件在操作中不会因环境因素而失效,延长了产品的使用寿命。

4. 封装与安装

ZVP0545GTA 采用 SOT-223 封装,属于表面贴装型,具有较小的占板面积和良好的散热特性。这种封装形式适应现代电子设备对小型化和高密度安装的需求,使其在轻量化和便于自动化装配中表现优异。

5. 应用领域

由于 ZVP0545GTA 的高电压和高温适应能力,这款器件在多个领域都有着广泛的应用,包括:

  • 电源管理:用于开关电源、逆变器和各种电源调节电路中。
  • 汽车电子:在电动机驱动控制、车载电源转换器和各种传感器接口中均有应用。
  • 工业控制系统:用于电机控制、继电器驱动和自动化设备中。
  • 消费电子:在各种小型家电和设备中,也能找到它的身影。

6. 总结

ZVP0545GTA 是一款集高性能、可靠性和多功能于一体的 P 型沟道 MOSFET,具有卓越的电气特性与广泛的应用潜力。其高压能力、适应极端工作环境的能力,以及高效的热管理特性,使其在现代电子设计中成为理想选择。随着对高效能和小型化电子元件需求的不断增长,ZVP0545GTA 无疑将继续在各大领域中发挥重要作用。