晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4A |
集射极击穿电压(Vceo) | 140V | 功率(Pd) | 3W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,5V | 特征频率(fT) | 120MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 120mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZX5T955GTA 是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能PNP型晶体管(BJT),采用表面贴装(SMD)封装形式 SOT-223,主要用于高电流和高电压的应用场景。凭借其优越的电流处理能力和耐高温特性,该产品非常适合各种电子电路中的开关和放大应用。
电流能力
ZX5T955GTA 的最大集电极电流 (Ic) 达到 4A,对于需要较大输出电流的电路设计,该产品提供了优秀的支持。此外,其集电极截止电流 (ICBO) 仅为 20nA,意味着其在关断状态下的漏电流极低,从而提升了系统的整体效率。
电压承受能力
此晶体管的集射极击穿电压 (Vce) 最大值为 140V,确保了其在高电压应用中的可靠性。这个特性使得 ZX5T955GTA 可以在诸如电源管理和高压电子设备中获得广泛应用。
功率处理能力
ZX5T955GTA 的最大功率处理能力为 3W,这使其在实际电路中能够承受相对较高的功率负荷,同时也能够满足一些严苛工作环境的需求。
工作温度范围
该晶体管的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够在极端环境下稳定工作。这一特性特别适合于工业控制、汽车电子及军事装备等应用场合。
频率响应
ZX5T955GTA 具有优良的频率响应能力,跃迁频率可达 120MHz,这使得其在高频开关电路中表现出色,适合用于高频放大器和快速开关应用。
饱和压降
在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,ZX5T955GTA 的 Vce 饱和压降最大为 360mV(在 300mA 和 3A 的情况下),这有助于降低功耗及提高效率。
增益特性
此款晶体管在 1A 和 5V 的工作条件下,其直流电流增益 (hFE) 最小值可达到 100。强大的电流增益使得每单位基极电流可以驱动更大的集电极电流,进一步增强了放大能力。
ZX5T955GTA 适用于多种电子设备和系统,包括但不限于:
ZX5T955GTA 是一款凭借其卓越的电性能和广泛的应用范围,在现代电子设计中极具吸引力的PNP型晶体管。其高电流、大电压、低饱和压降和良好的增益特性,使其在多个领域都展现出了非凡的潜力,非常适合对性能有严格要求的应用。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,ZX5T955GTA 都能够为工程师提供可靠而高效的解决方案。对于希望提升其设计性能的工程师来说,ZX5T955GTA 是值得考虑的理想选择。