ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA 产品概述

ZXMN3A01FTA 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）制造，专为各种电子应用而设计。该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，因此特别适合于电源管理、开关电路和高效能转换器等应用场景。

1. 主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）：1.8A（在环境温度为25°C时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：120mΩ @ 2.5A, 10V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装类型：SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)

2. 应用领域

ZXMN3A01FTA的设计目标是为广泛的应用提供有效的解决方案。它适合用于：

• 开关电源
• 电动机驱动电路
• LED驱动器
• 负载开关
• 电池管理系统

由于其低的导通电阻，该器件能有效降低能量损耗，提高系统运行效率。

3. 性能特点

1. 低导通电阻: 在2.5A和10V的条件下，ZXMN3A01FTA的漏源导通电阻为120毫欧，这使得在提供相同电流的情况下，器件能够显著降低发热量，提高能效，延长设备使用寿命。

2. 高电流承载能力: 该MOSFET在25°C环境条件下的连续漏极电流可达1.8A，适用于多个负载场合。

3. 广泛的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C，适合于需要高可靠性和耐极端环境的应用。

4. 精确的栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压为1V（在250µA的电流下），能够确保在较低电压驱动下稳妥导通，满足多种驱动器需求。

5. 高效的电荷特性: 最大栅极电荷（Qg）为3.9nC @ 10V，降低了栅极驱动能耗，使得其在高频开关应用中的表现更加出色。

4. 设计和封装

ZXMN3A01FTA采用SOT-23-3封装，体积小巧，表面贴装型设计使得其在空间受限的电路中表现出色。这种封装方式使得器件在PCB上的焊接和布局相对容易，且提高了整体组件的密度，也便于自动化生产。

5. 结论

ZXMN3A01FTA是一款具备高效能和高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种电子和电气应用。其众多优越的性能特征使其能够满足现代电子产品对功率、效率和可靠性的严格要求。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域，它都展现出卓越的应用潜力，值得工程师们在设计时考虑使用。