类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 4.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 235mΩ@10V,2.1A |
功率(Pd) | 4.24W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 717pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 46.4pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述
ZXMP10A16KTC 是一种高性能的 P 型通道 MOSFET,专为各种电子应用而设计,适合需要高效开关性能的电路。这款 MOSFET 的主要特点包括其表面贴装设计、宽广的工作温度范围和卓越的电流处理能力,使其在多个行业和应用中表现出色。
关键规格
封装与安装类型: ZXMP10A16KTC 采用 TO-252 封装,这种表面贴装型设计使其能够在空间受限的电子产品中得到有效应用。
电气特性:
门极驱动:
电容特性:
应用场景
ZXMP10A16KTC 适用于多种应用场景,主要包括但不限于:
优势分析
总结
ZXMP10A16KTC 不仅在高效能中展现出色表现,其在多种应用中的灵活性和可靠性,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子,还是在工业应用中,ZXMP10A16KTC 都能满足设计工程师对性能和可靠性的双重需求,助力各类电子产品的创新与发展。