ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16GTA参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,3.8A |
| 功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.007nF@20V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 85pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP4A16GTA手册
ZXMP4A16GTA概述
ZXMP4A16GTA 是一款高性能的 P 沟道MOSFET，具有额定漏源电压（Vdss）为 40V 和连续漏极电流（Id）为 4.6A 的优势，特别适合在各种中低功率电子应用中使用。该器件的漏源导通电阻为 60mΩ，确保了良好的导通性能和低功率损耗，适合用于高效的电源开关及驱动电路。
关键参数及性能
漏源电压 (Vdss): ZXMP4A16GTA 的漏源电压为 40V，表明其能够承受的最大电压在此范围内，适合于大部分低压电源管理应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 的连续漏极电流为 4.6A。这使其适用广泛的负载条件，能够在大多数情况下提供可靠的输出。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为 1V @ 250μA，非常适合低电压驱动，能够简化电源电路的设计。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 3.8A 和 10V 驱动条件下，ZXMP4A16GTA 提供的导通电阻为 60mΩ。较低的导通电阻意味着该器件在导通状态下可减少功率损耗，有助于提升系统的整体能效。
驱动电压: 本器件的驱动电压可达 4.5V 至 10V，这为设计人员在电路中输入控制信号时提供了更大的灵活性。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的驱动电压下，栅极电荷（Qg）为 26.1nC，这相对较低的栅极电荷有助于减少切换损耗，提升开关频率，适合高效开关电源应用。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1007pF @ 20V，表明在不同工作条件下，ZXMP4A16GTA 可以保持良好的信号完整性。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 2W (Ta=25°C)，在合适的散热设计下，可以在正常工作环境中稳定运行。
工作环境及封装
ZXMP4A16GTA 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，提供了广泛的应用场景，尤其是对于环境条件较为恶劣的行业如汽车和工业控制设备等。此外，该器件采用 SOT-223 封装，这是一种表面贴装型设计，使其适合于现代电子产品的高密度布局。
应用领域
ZXMP4A16GTA 的设计使其在多个领域具有广泛应用，包括但不限于：
- 电源管理系统
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 开关电源
- 温控系统
结论
ZXMP4A16GTA 是一款高效、可靠且易于驱动的 P 沟道 MOSFET，具备出色的电气特性和广泛的工作温度范围，非常适合在多种中低功率电子设备中使用。其低导通电阻和适中的阈值电压使得设计人员能够在追求高效能与成本效益之间取得良好的平衡。作为 DIODES 公司所推出的器件，ZXMP4A16GTA 不仅适用于新设计，也能够替代传统器件，从而提升系统性能并优化功率管理。