额定功率 | 1.1W | 集电极电流Ic | 1.5A |
集射极击穿电压Vce | 30V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 375mV @ 15mA,750mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 100mA,2V | 功率 - 最大值 | 1.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
ZXTC2045E6TA 是一款高性能的双极型晶体管(BJT),具备广泛的应用潜力,特别适用于低功耗的开关电源、放大器以及其他模拟电路。作为一个集成的 NPN/PNP 晶体管,这款器件由 DIODES(美台)制造,支持多种电流和电压条件满足各种应用需求。其紧凑的 SOT-26 封装设计使其非常适合表面贴装(SMD)应用,能够有效节省电路板空间。
ZXTC2045E6TA 的设计和性能特点使其尤其适合以下几类应用:
ZXTC2045E6TA 是一款性能卓越、应用广泛的双极型晶体管,其小巧的 SOT-26 封装、极低的饱和压降及高电流增益特性,使它在各种电子设计中都能够灵活应用。随着科技的不断发展对高性能、低功耗器件的需求越来越大,ZXTC2045E6TA 将为各类创新产品的开发提供有力支持,帮助设计工程师实现高效,可靠和紧凑的电路设计。
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