类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 93A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,93A |
功率(Pd) | 375W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 350nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 14.1nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 850pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQM100P10-19L_GE3
P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
VISHAY(威世)
TO-263(D²Pak)
SQM100P10-19L_GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,设计用于各种高功率应用。其关键规格如下:
该MOSFET产品具备高达175°C的工作温度范围,最低工作温度为-55°C,这使得其在极端环境条件下仍能够稳定工作,特别适用于工业、汽车及航空航天等领域。
SQM100P10-19L_GE3具有4.5V和10V的两个驱动电压选项,保证了在不同工况下的高效能操作。同时,在10V的栅极驱动下,栅极电荷(Qg)最大为350nC,利于优化开关速度,减少驱动损耗。
在漏源电压为25V的情况下,该MOSFET的输入电容Ciss最大为14100pF。此外,该元件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.5V@250µA,这让设计师在电路设计中能够有更大的灵活性与选择余地,方便实现对MOSFET的可靠控制。
SQM100P10-19L_GE3 MOSFET的高电流处理能力、低导通损耗以及宽温度范围使其特别适用于:
SQM100P10-19L_GE3是一款极具竞争力的P沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能、高功率处理能力以及广泛的工作温度范围,能够高效满足各种高要求的应用需求。作为一款来自VISHAY的高品质器件,它在节能、可靠性方面提供了显著的优势,是现代电子设计中理想的选择。无论是在电源管理还是高功率条件下的复杂电路中,SQM100P10-19L_GE3都能够展现出卓越的性能,为电路设计师提供更多可能性。