SQM100P10-19L_GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SQM100P10-19L_GE3

商品编码: BM0000284489
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263(D²Pak)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 375W 100V 93A 1个P沟道 TO-263(D2PAK)
库存 :
12484(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
10.8
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.8
--
800+
¥10.51
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQM100P10-19L_GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)93A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@10V,93A
功率(Pd)375W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)350nC@10V输入电容(Ciss@Vds)14.1nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)850pF@25V工作温度-55℃~+175℃

SQM100P10-19L_GE3手册

SQM100P10-19L_GE3概述

SQM100P10-19L_GE3 产品概述

产品名称

SQM100P10-19L_GE3

类型

P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)

制造商

VISHAY(威世)

封装类型

TO-263(D²Pak)

基础参数

SQM100P10-19L_GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,设计用于各种高功率应用。其关键规格如下:

  • 导通电阻(Rds On):在30A和10V下,最大导通电阻为19毫欧,确保低功耗和高效能。
  • 连续漏电流(Id):在25°C的条件下,器件可承载高达93A的连续漏极电流,适合高负载需求的应用场景。
  • 漏源电压(Vdss):最高可承受100V的漏源电压,能够针对多种高压应用提供解决方案。
  • 功率耗散:最大功率耗散为375W,适合严苛工作环境和长时间运行的电路设计。

工作温度

该MOSFET产品具备高达175°C的工作温度范围,最低工作温度为-55°C,这使得其在极端环境条件下仍能够稳定工作,特别适用于工业、汽车及航空航天等领域。

驱动电压与栅极电荷

SQM100P10-19L_GE3具有4.5V和10V的两个驱动电压选项,保证了在不同工况下的高效能操作。同时,在10V的栅极驱动下,栅极电荷(Qg)最大为350nC,利于优化开关速度,减少驱动损耗。

输入电容与栅极阈值电压

在漏源电压为25V的情况下,该MOSFET的输入电容Ciss最大为14100pF。此外,该元件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.5V@250µA,这让设计师在电路设计中能够有更大的灵活性与选择余地,方便实现对MOSFET的可靠控制。

应用场景

SQM100P10-19L_GE3 MOSFET的高电流处理能力、低导通损耗以及宽温度范围使其特别适用于:

  • 电源管理:用于DC-DC变换器、开关电源以及高效电源系统。
  • 汽车电子:用于电动汽车的电池管理系统及动力转换。
  • 工业控制:适用于电机驱动和其他工业自动化系统。

总结

SQM100P10-19L_GE3是一款极具竞争力的P沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能、高功率处理能力以及广泛的工作温度范围,能够高效满足各种高要求的应用需求。作为一款来自VISHAY的高品质器件,它在节能、可靠性方面提供了显著的优势,是现代电子设计中理想的选择。无论是在电源管理还是高功率条件下的复杂电路中,SQM100P10-19L_GE3都能够展现出卓越的性能,为电路设计师提供更多可能性。