STB12NM50ND

STB12NM50ND 产品概述

一、产品简介

STB12NM50ND 是意法半导体（STMicroelectronics）旗下的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件主要设计用于高压、高功率应用，适合用于开关电源、逆变器、电动机驱动、以及其他需要高电流和高电压的场合。它具有最高500V 的漏源电压、11A 的连续漏极电流，适应广泛的工业和消费级电子电路应用。

二、基本参数

STB12NM50ND 的核心规格参数包括：

• 漏源电压（Vdss）: 500V
• 连续漏极电流（Id）: 11A（在25°C时）
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds On）: 380mΩ @ 5.5A, 10V
• 最大功率耗散: 100W（在25°C的情况下）
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C
• 输入电容（Ciss）: 850pF @ 50V
• 栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V
• 封装: D2PAK（TO-263-3, D²Pak）

这些参数使得 STB12NM50ND 在电力电子设备中实现优秀的性能，特别是在需要频繁开关的应用中表现突出。

三、设计特点

1. 高压和高电流能力: STB12NM50ND 支持高达 500V 的操作电压，并能承载 11A 的连续电流，非常适用于需要高功率的应用场合，如电源管理和工业设备控制等。

2. 低导通电阻: 380mΩ 的低导通电阻能够有效减少功率损耗，提高电路的整体效率。其在5.5A和10V条件下的表现，确保了在实际工作条件下的表现优异。

3. 广泛的工作温度范围: 器件的工作温度高达 150°C，使其适用于各种恶劣环境，提升系统的安全性和可靠性。

4. 便捷的封装形式: D2PAK 封装不仅提供较好的散热效果，还有助于自动化生产线的快速贴装。其设计紧凑，有助于在空间有限的设计中使用。

四、应用领域

STB12NM50ND 的应用范围广泛，包括但不限于：

• 开关电源: 在各种电源转换器中充当功率开关，用于有效能量管理。
• 电动机驱动: 在电动机控制器中的应用，提供精准控制和高效能量传输。
• 逆变器: 用于将直流电转换为交流电，应用在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
• 其他高功率电路: 适用于所有需要高电流和高电压的电子电路设计。

五、总结

总而言之，STB12NM50ND 作为一款高效的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、较宽的应用范围和可靠的工作性能，成为工业和消费类电子产品设计的重要选择。它能够帮助设计师构建高效、可靠的电源解决方案，在市场上具有良好的竞争力。无论是用于电源转换、motors 驱动，还是高功率电子设备控制，STB12NM50ND 都能为用户提供理想的解决方案。