STB4NK60Z-1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STB4NK60Z-1

商品编码: BM0000284501
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 70W 600V 4A 1个N沟道 I2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.2
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.2
--
1000+
¥1.11
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STB4NK60Z-1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@2A,10V
功率(Pd)70W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18.8nC输入电容(Ciss@Vds)510pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@25V工作温度-55℃~+150℃

STB4NK60Z-1手册

STB4NK60Z-1概述

产品概述:STB4NK60Z-1 N沟道MOSFET

产品简介

STB4NK60Z-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),该器件设计用于高压和高温应用。凭借其600V的漏源极电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id),STB4NK60Z-1适用于各种电力电子设备,如开关电源、不间断电源(UPS)、电动机控制及其他工业应用。

主要特性

  1. 电压和电流规格

    • 漏源极电压(Vdss)为600V,能够承受高达此电压的操作,非常适用于高电压应用。
    • 25°C时的连续漏极电流(Id)为4A,确保在正常工作条件下的稳定性和可靠性。
  2. 低导通电阻

    • 在10V栅源电压下,2A时的最大导通电阻(Rds(on))可达2Ω。低导通电阻能够减少经济损失并提升功率转换效率。
  3. 栅源电压兼容性

    • 栅源电压(Vgss)范围为±30V,支持多种驱动电压,方便集成到不同的电路设计中。
  4. 热性能

    • 该器件的最大功率耗散为70W,能够有效地管理温度,提高工作稳定性。
    • 工作温度范围高达150°C,适合在极端环境下持续运行。
  5. 快速开关性能

    • 在10V下的栅极电荷(Qg)最大为26nC,提供了出色的开关性能,能够提高开关频率并降低开关损耗。
  6. 封装形式

    • STB4NK60Z-1采用TO-262-3长引线布局的I²Pak封装,具有出色的散热性能和易于PCB安装的优势,适合通孔(THT)安装类型。
  7. 电气参数

    • 输入电容(Ciss)为510pF(在25V时),帮助保持高频率的良好性能。

应用领域

STB4NK60Z-1广泛应用于多个领域,尤其是在需要高效率、高稳定性和耐高温特性的场合。它的主要应用包括:

  • 开关电源:高效地转换电能,以符合现代电子设备的能量需求。
  • 变频器和电动机控制:通过调节电流和电压,实现对电机的精准控制。
  • 工业设备:如焊接机、整流器等,能够承受高负载和恶劣环境。
  • 太阳能逆变器:高效地将太阳能转换为电能,支撑可再生能源领域的蓬勃发展。

结论

STB4NK60Z-1是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能和耐高温特性,适用于多种高压和高温应用。意法半导体一直以来以其卓越的半导体设计和制造能力而著称,该器件无疑是推动电力电子技术持续发展的关键组件之一。对于设计工程师而言,STB4NK60Z-1的引入将为其电路设计提供更大的灵活性和高效的性能保障。