类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@2A,10V |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.8nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STB4NK60Z-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),该器件设计用于高压和高温应用。凭借其600V的漏源极电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id),STB4NK60Z-1适用于各种电力电子设备,如开关电源、不间断电源(UPS)、电动机控制及其他工业应用。
电压和电流规格:
低导通电阻:
栅源电压兼容性:
热性能:
快速开关性能:
封装形式:
电气参数:
STB4NK60Z-1广泛应用于多个领域,尤其是在需要高效率、高稳定性和耐高温特性的场合。它的主要应用包括:
STB4NK60Z-1是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能和耐高温特性,适用于多种高压和高温应用。意法半导体一直以来以其卓越的半导体设计和制造能力而著称,该器件无疑是推动电力电子技术持续发展的关键组件之一。对于设计工程师而言,STB4NK60Z-1的引入将为其电路设计提供更大的灵活性和高效的性能保障。