类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 24A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,12A |
功率(Pd) | 60W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STD20NF06T4 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为各种高效能电子应用设计。它的漏源电压(Vdss)最高可达 60V,连续漏极电流(Id)为 24A(在 25°C 的环境温度下)。该器件采用 DPAK 封装,具备出色的散热性能和较小的体积,适用于表面贴装技术(SMT)。
STD20NF06T4 的漏源电压为 60V,这使其能够在高电压应用中有效工作。其 25°C 下的连续漏极电流为 24A,这意味着在这些条件下,MOSFET 能够处理较大的负载。
该 MOSFET 在 12A 和 10V 的激励下,其漏源导通电阻(Rds(on))最大为 40mΩ,这表明在导通状态下其能量损耗极小。因此,STD20NF06T4 非常适合于电源管理和开关电源设计。其栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4V(@250µA),表明该器件在相对较低的栅极驱动电压下即可导通。
为了实现最佳的开关特性,STD20NF06T4建议在 10V 的栅极驱动电压下使用,此时可获得最低的 Rds(on)。同时,栅极电荷(Qg)在 10V 时最大为 31nC,表明其在高频开关应用中表现优良。
在 25V 的情况下,STD20NF06T4 的输入电容(Ciss)最大值为 690pF,这说明在启动和关断过程中的电流变化较小,有助于提高开关速度。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,非常适合在严酷的环境下工作。其最大功率耗散能力为 60W(在 Tc 状态下),标志着该器件能够在高功率应用中安全运行。
STD20NF06T4 的高性能特性使其适用于多种应用,包括:
STD20NF06T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高效能 N 沟道 MOSFET,具备出色的电气特性和散热能力,尤其适合高电压和高电流应用。由于其优异的导通电阻极低及较大的功率耗散能力,非常适合用于开关电源、电机驱动和多种电气转换电路中。因此,这款 MOSFET 将为电子设计师提供灵活、高效且可靠的解决方案。