类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,1.5A |
功率(Pd) | 60W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 175pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.5pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称:STD4N80K5
类型:N沟道MOSFET
制造商:意法半导体 (STMicroelectronics)
封装类型:DPAK (TO-252-3)
STD4N80K5是一款高电压,低功耗的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有800V的漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id @ 25°C)。其设计旨在满足各种应用需要,尤其适用于高频开关电源、直流—直流变换器和其他高压电气设备。
漏源电压(Vdss):800V
连续漏极电流(Id):3A(Tc)
栅源极阈值电压(Vgs(th)):5V @ 100µA
漏源导通电阻(Rds(on)):2.5Ω @ 1.5A, 10V
最大功率耗散:60W (Tc)
驱动电压:10V
工作温度范围:-55°C 到 150°C
输入电容 (Ciss):175pF @ 100V
栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 10V
最大栅压(Vgs max):±30V
STD4N80K5的高耐压、高效能特性使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
由于其优良的热性能和高可用性,STD4N80K5也常被应用于要求严格的工业电子设备中。
该器件采用DPAK封装(TO-252-3),适合表面贴装技术(SMT)。DPAK封装提供了良好的热管理性能和适中的PCB占用空间。制造过程中,便于自动化焊接,有效提升生产效率。
STD4N80K5以其出色的电气特性和机械结构,适合在高压和高功率场合中使用,是优化电源设计和提升系统性能的重要元器件。意法半导体在这一领域的专业经验和先进技术确保了STD4N80K5的高质量和可靠性,成为工程师们在设计电源和驱动设备时的重要选择。