类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,2.5A |
功率(Pd) | 96W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STD5NM60-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道MOSFET,具有600V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id),设计目标是满足高效能应用的需求。其卓越的电气特性和耐久的绝缘能力,使其成为电源管理、电机控制和开关电源等领域的理想选择。
STD5NM60-1因其高耐压、低Vgs(th)和出色的导通特性,适用于多种应用,包括但不限于:
STD5NM60-1与同类产品相比,具有更好的热性能、更低的开关损耗和更高的工作温度范围。它的低导通电阻和高功率耗散能力能够有效降低系统总成本并提高可靠性。
使用STD5NM60-1时,建议操作在额定范围内,以确保 MOSFET 的最佳性能。合理设计驱动电路以减少开关损耗,并确保良好的散热设计以保持工作温度在安全范围内。
STD5NM60-1是一款功能强大、灵活多用的N沟道MOSFET,具有广泛的应用潜力。其高压、电流和温度性能使其具备在苛刻条件下工作的能力,是现代电源设计的理想选择。选择STD5NM60-1,您将获得高性能、高可靠性的半导体解决方案,助力您的产品在竞争激烈的市场中脱颖而出。