STD60NF55LT4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD60NF55LT4

商品编码: BM0000284507
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-55V-60A(Tc)-100W(Tc)-DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.58
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.58
--
2500+
¥3.44
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD60NF55LT4参数

封装/外壳TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63FET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)55V栅源电压 Vgss±15V
安装类型表面贴装(SMT)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)56nC @ 5VVgs(最大值)±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1950pF @ 25V功率耗散(最大值)100W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)供应商器件封装DPAK

STD60NF55LT4手册

STD60NF55LT4概述

产品概述:STD60NF55LT4 N沟道MOSFET

一、基本信息

型号: STD60NF55LT4
品牌: STMicroelectronics (ST意法半导体)
封装类型: TO-252-3, DPAK (2引线 + 接片), SC-63
FET类型: N通道MOSFET
漏源极电压(Vdss): 55V
连续漏极电流(Id @ 25°C): 60A (Tc)
功率耗散: 100W (Tc)
驱动电压: 4.5V 至 10V以实现最大 Rds On
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

二、性能特点

STD60NF55LT4是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优越的电气性能、低导通电阻,并采用于广泛的功率管理应用。其最大漏源极电压为55V,连续漏极电流可以达到60A,适用于高电流和高电压的工作环境。

  1. 低导通电阻:在10V的门控电压下,导通电阻最大值可低至15毫欧(@30A),这使得STD60NF55LT4在高负载条件下能够显著减小功率损耗及热量生成。

  2. 高功率耗散能力:最大功率耗散为100W,这表明该器件在处理大量功率时的稳定性和可靠性,是电源管理和转化电路中极为重要的特性。

  3. 宽工作温度范围:其工作温度范围从-55°C到175°C,表明该器件可在严酷的环境条件中保持稳定性能,适用于汽车、工业以及航空航天等多种应用场景。

  4. 卓越的驱动能力:所需的驱动电压为4.5V至10V,这意味着STD60NF55LT4能与大多数常见的驱动电路兼容,便于集成。

  5. 快速开关特性:其栅极电荷 Qg 最大值为56nC( @ 5V),有助于提高开关频率,使其适合高频率应用。这对于需要快速响应时间的电源转换器尤为重要。

三、应用场景

STD60NF55LT4广泛应用于各类功率电子产品中,尤其是以下应用场合:

  1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,作为主开关元件,其低导通电阻和高功率耗散能力确保高效能和稳定性。

  2. DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器中被使用,能有效提高转换效率并降低热损失。

  3. 电机驱动:在电机控制应用中,能够提供高电流驱动,支持精确控制电机的启动和运行。

  4. 汽车电子:由于其优秀的温度性能,适合在汽车电子控制模块以及动力系统中的功率管理使用。

  5. 防护电路:可用于过压和过流保护电路,在电气设备保护上发挥重要作用。

四、总结

总的来看,STMicroelectronics生产的STD60NF55LT4 N沟道MOSFET是一个高效、稳定且多用途的功率器件,能够满足现代电子设计对功率管理的高要求。其经久耐用的性能和广泛适用的特性,使其在多个行业中成为设计师的热门选择。由于具备优异的电气性能和广泛的应用场景,该产品在未来的电子产品中将继续发挥其关键作用。