STD60NF55LT4
STD60NF55LT4参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 55V | 栅源电压 Vgss | ±15V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 55V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1950pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | DPAK |
STD60NF55LT4手册
STD60NF55LT4概述
产品概述：STD60NF55LT4 N沟道MOSFET
一、基本信息
型号: STD60NF55LT4
品牌: STMicroelectronics (ST意法半导体)
封装类型: TO-252-3, DPAK (2引线 + 接片), SC-63
FET类型: N通道MOSFET
漏源极电压（Vdss）: 55V
连续漏极电流（Id @ 25°C）: 60A (Tc)
功率耗散: 100W (Tc)
驱动电压: 4.5V 至 10V以实现最大 Rds On
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
二、性能特点
STD60NF55LT4是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优越的电气性能、低导通电阻，并采用于广泛的功率管理应用。其最大漏源极电压为55V，连续漏极电流可以达到60A，适用于高电流和高电压的工作环境。
低导通电阻：在10V的门控电压下，导通电阻最大值可低至15毫欧(@30A)，这使得STD60NF55LT4在高负载条件下能够显著减小功率损耗及热量生成。
高功率耗散能力：最大功率耗散为100W，这表明该器件在处理大量功率时的稳定性和可靠性，是电源管理和转化电路中极为重要的特性。
宽工作温度范围：其工作温度范围从-55°C到175°C，表明该器件可在严酷的环境条件中保持稳定性能，适用于汽车、工业以及航空航天等多种应用场景。
卓越的驱动能力：所需的驱动电压为4.5V至10V，这意味着STD60NF55LT4能与大多数常见的驱动电路兼容，便于集成。
快速开关特性：其栅极电荷 Qg 最大值为56nC( @ 5V)，有助于提高开关频率，使其适合高频率应用。这对于需要快速响应时间的电源转换器尤为重要。
三、应用场景
STD60NF55LT4广泛应用于各类功率电子产品中，尤其是以下应用场合：
开关电源（SMPS）：在开关电源中，作为主开关元件，其低导通电阻和高功率耗散能力确保高效能和稳定性。
DC-DC转换器：在各种DC-DC转换器中被使用，能有效提高转换效率并降低热损失。
电机驱动：在电机控制应用中，能够提供高电流驱动，支持精确控制电机的启动和运行。
汽车电子：由于其优秀的温度性能，适合在汽车电子控制模块以及动力系统中的功率管理使用。
防护电路：可用于过压和过流保护电路，在电气设备保护上发挥重要作用。
四、总结
总的来看，STMicroelectronics生产的STD60NF55LT4 N沟道MOSFET是一个高效、稳定且多用途的功率器件，能够满足现代电子设计对功率管理的高要求。其经久耐用的性能和广泛适用的特性，使其在多个行业中成为设计师的热门选择。由于具备优异的电气性能和广泛的应用场景，该产品在未来的电子产品中将继续发挥其关键作用。