STF18NM60N 产品实物图片
STF18NM60N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STF18NM60N

商品编码: BM0000284510
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220FP
包装 : 
管装
重量 : 
2.6g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 600V 13A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.84
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.84
--
1000+
¥4.63
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF18NM60N参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)13A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)285mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

STF18NM60N手册

STF18NM60N概述

STF18NM60N MOSFET 产品概述

一、产品简介

STF18NM60N 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件采用TO-220FP封装,具有600V的漏源阻断电压和13A的持续漏极电流能力,特别适用于高压电源管理、电机驱动和开关电源等应用场景。

二、主要技术参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 600V
  2. 连续漏极电流 (Id): 25°C 时为 13A
  3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
  4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 285毫欧 @ 6.5A, 10V
  5. 最大功率耗散: 30W (环境温度 25°C)
  6. 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  7. 最大栅极电压 (Vgs): ±25V
  8. 输入电容 (Ciss): 1000pF @ 50V
  9. 栅极电荷 (Qg): 35nC @ 10V
  10. 封装类型: TO-220-3

三、应用领域

STF18NM60N凭借其卓越的电气特性,广泛应用于多种高效能的电源管理系统,具体包括:

  • 开关电源: 在高频转换和高电压环境中表现优越, 可以有效降低开关损耗。
  • 马达驱动: 适用于各类电机控制,尤其是在工业自动化和家用电器等领域。
  • 电压调节器: 作为稳压和斩波电路的关键元件,提供可靠的输出。
  • 功率放大器: 在无线通信和音频设备中,能保证高线性度和稳定性。

四、性能特征

  1. 低导通阻抗: STF18NM60N 具备较低的导通电阻 (285mΩ),其在导通状态下极大地减少了功率损耗,提升了工作效率。

  2. 高压操作: 最高可承受600V的漏源电压,适合高压应用场景,确保器件在压力条件下的可靠运行。

  3. 优良的热管理: 最大功率耗散值为30W,使得在较高负载下设备能够有效散热,延长器件寿命。

  4. 广泛的工作温度范围: 工作温度范围宽,从-55°C到150°C,适应了不同环境下的应用需求。

五、总结

STF18NM60N 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET,结合了高阻断电压、低导通电阻及良好的功率特性,成为现代电力电子中不可或缺的元件。无论是用于工业自动化,电源转换,还是马达驱动,其卓越的表现均符合现代电子设备对高效能和可靠性的严格要求。

随着电子设备日益向高效、绿色和智能化的发展,STF18NM60N 的应用将会越来越广泛,其优秀的技术规格将为各种高端应用提供强有力的支持。选择STF18NM60N,不仅可以大幅提升系统效率,同时也能在多种恶劣条件下保持稳定和安全的运行。