类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 285mΩ@10V,6.5A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
STF18NM60N 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件采用TO-220FP封装,具有600V的漏源阻断电压和13A的持续漏极电流能力,特别适用于高压电源管理、电机驱动和开关电源等应用场景。
STF18NM60N凭借其卓越的电气特性,广泛应用于多种高效能的电源管理系统,具体包括:
低导通阻抗: STF18NM60N 具备较低的导通电阻 (285mΩ),其在导通状态下极大地减少了功率损耗,提升了工作效率。
高压操作: 最高可承受600V的漏源电压,适合高压应用场景,确保器件在压力条件下的可靠运行。
优良的热管理: 最大功率耗散值为30W,使得在较高负载下设备能够有效散热,延长器件寿命。
广泛的工作温度范围: 工作温度范围宽,从-55°C到150°C,适应了不同环境下的应用需求。
STF18NM60N 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET,结合了高阻断电压、低导通电阻及良好的功率特性,成为现代电力电子中不可或缺的元件。无论是用于工业自动化,电源转换,还是马达驱动,其卓越的表现均符合现代电子设备对高效能和可靠性的严格要求。
随着电子设备日益向高效、绿色和智能化的发展,STF18NM60N 的应用将会越来越广泛,其优秀的技术规格将为各种高端应用提供强有力的支持。选择STF18NM60N,不仅可以大幅提升系统效率,同时也能在多种恶劣条件下保持稳定和安全的运行。