STF18NM60N

STF18NM60N MOSFET 产品概述

一、产品简介

STF18NM60N 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用TO-220FP封装，具有600V的漏源阻断电压和13A的持续漏极电流能力，特别适用于高压电源管理、电机驱动和开关电源等应用场景。

二、主要技术参数

1. 漏源电压 (Vdss): 600V
2. 连续漏极电流 (Id): 25°C 时为 13A
3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 285毫欧 @ 6.5A, 10V
5. 最大功率耗散: 30W (环境温度 25°C)
6. 工作温度范围: -55°C 至 150°C
7. 最大栅极电压 (Vgs): ±25V
8. 输入电容 (Ciss): 1000pF @ 50V
9. 栅极电荷 (Qg): 35nC @ 10V
10. 封装类型: TO-220-3

三、应用领域

STF18NM60N凭借其卓越的电气特性，广泛应用于多种高效能的电源管理系统，具体包括：

• 开关电源: 在高频转换和高电压环境中表现优越， 可以有效降低开关损耗。
• 马达驱动: 适用于各类电机控制，尤其是在工业自动化和家用电器等领域。
• 电压调节器: 作为稳压和斩波电路的关键元件，提供可靠的输出。
• 功率放大器: 在无线通信和音频设备中，能保证高线性度和稳定性。

四、性能特征

1. 低导通阻抗: STF18NM60N 具备较低的导通电阻 (285mΩ)，其在导通状态下极大地减少了功率损耗，提升了工作效率。

2. 高压操作: 最高可承受600V的漏源电压，适合高压应用场景，确保器件在压力条件下的可靠运行。

3. 优良的热管理: 最大功率耗散值为30W，使得在较高负载下设备能够有效散热，延长器件寿命。

4. 广泛的工作温度范围: 工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适应了不同环境下的应用需求。

五、总结

STF18NM60N 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET，结合了高阻断电压、低导通电阻及良好的功率特性，成为现代电力电子中不可或缺的元件。无论是用于工业自动化，电源转换，还是马达驱动，其卓越的表现均符合现代电子设备对高效能和可靠性的严格要求。

随着电子设备日益向高效、绿色和智能化的发展，STF18NM60N 的应用将会越来越广泛，其优秀的技术规格将为各种高端应用提供强有力的支持。选择STF18NM60N，不仅可以大幅提升系统效率，同时也能在多种恶劣条件下保持稳定和安全的运行。