类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,9A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.055nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.4pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
STF24N60DM2是意法半导体(STMicroelectronics)设计和生产的高性能N沟道MOSFET,具备高达600V的漏源电压(Vdss),连续漏极电流(Id)可达18A,并且封装采用TO-220形式,适合多种高功率应用。该MOSFET的设计旨在满足高可靠性与出色的热特性要求,使其广泛适用于功率转换、开关电源、逆变器及电动工具等场合。
关键参数
性能特性
STF24N60DM2的设计考虑到了现代电子设备对能效和高电压能力的要求。其栅极电荷(Qg)为29nC @ 10V,有效降低了开关损耗,且提高了开关速度,适合于高频开关电源的设计。在不同的漏压情况下,输入电容(Ciss)最大值为1055pF @ 100V,提供了良好的驱动兼容性。
应用场景
STF24N60DM2广泛应用于多种场景,包括:
封装与安装
STF24N60DM2采用TO-220封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,非常便于通孔安装。该封装形式的优势在于方便与散热器搭配使用,并且易于集成至各种PCB设计中。这对于需要频繁更换或维修的应用场景尤为重要。
总结
总的来说,STF24N60DM2是一款结合了高电压、高电流与良好热性能的N沟道MOSFET,适用于各种高功率和高频应用。凭借意法半导体卓越的设计与制造能力,该器件在现代电力电子设计中展现了广泛的适用性和可靠性,成为工程师们在电源管理和逆变器设计中不可或缺的选择。