STF24N60DM2

产品概述：STF24N60DM2 N沟道MOSFET

基本信息

STF24N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）设计和生产的高性能N沟道MOSFET，具备高达600V的漏源电压（Vdss），连续漏极电流（Id）可达18A，并且封装采用TO-220形式，适合多种高功率应用。该MOSFET的设计旨在满足高可靠性与出色的热特性要求，使其广泛适用于功率转换、开关电源、逆变器及电动工具等场合。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 600V，这一高电压特性使得STF24N60DM2在工业、消费电子及电力电子设备中应用广泛，能够处理高电压环境下的操作。
• 连续漏极电流（Id）: 18A（在25°C下测得），此特性确保了该器件在较高负荷下能稳定工作，并适应各种功率需求。
• 栅源极阈值电压: 5V @ 250µA，这使得该MOSFET能够在相对较低的栅电压下开启，从而降低驱动电路的功耗。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 200mΩ @ 9A，10V，低导通电阻意味着在导通状态下可显著降低功耗、提高效率。
• 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ），这表示该MOSFET能在极端环境下操作，适合用于高温及恶劣环境的应用。

性能特性

STF24N60DM2的设计考虑到了现代电子设备对能效和高电压能力的要求。其栅极电荷（Qg）为29nC @ 10V，有效降低了开关损耗，且提高了开关速度，适合于高频开关电源的设计。在不同的漏压情况下，输入电容（Ciss）最大值为1055pF @ 100V，提供了良好的驱动兼容性。

应用场景

STF24N60DM2广泛应用于多种场景，包括：

1. 开关电源（SMPS）: 由于其高电压和电流处理能力，该器件可作为开关元件，在DC-DC转换和AC-DC转换中发挥重要作用。
2. 逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车驱动系统中，该MOSFET可用于高效的电能转换。
3. 电机驱动: 其优良的热特性和低导通电阻使其理想于电机控制和驱动应用，提高系统的整体性能。
4. 高功率电子设备: 包括电动工具、家用电器以及工业自动化设备，STF24N60DM2能有效支持更高的功率需求。

封装与安装

STF24N60DM2采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，非常便于通孔安装。该封装形式的优势在于方便与散热器搭配使用，并且易于集成至各种PCB设计中。这对于需要频繁更换或维修的应用场景尤为重要。

总结

总的来说，STF24N60DM2是一款结合了高电压、高电流与良好热性能的N沟道MOSFET，适用于各种高功率和高频应用。凭借意法半导体卓越的设计与制造能力，该器件在现代电力电子设计中展现了广泛的适用性和可靠性，成为工程师们在电源管理和逆变器设计中不可或缺的选择。