类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ |
功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.37nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 37pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP10NK60ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),专为高压和高电流应用而设计。此组件的关键特点包括额定漏源电压(Vdss)为 600V,连续漏极电流(Id)可达 10A,能够承受极端工作条件,是电力电子和开关电源等领域中理想的选择。
漏源电压(Vdss): 该器件的最大漏源电压为 600V,适用于许多高压应用,包括但不限于变频器、逆变器和切换电源。这使得 STP10NK60ZFP 能够在严苛的电气环境中稳定工作,保护后续电路不受过电压影响。
持续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件的连续漏极电流为 10A,进一步增强了其在高流量应用中的适应能力。适合用于电力传输和开关电源中的高效电流控制。
导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压和 4.5A 的漏极电流下,导通电阻最大为 750mΩ。较低的导通电阻可以显著减少功耗,提升整体系统效率,降低发热量,是优化电源设计的关键参数。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 栅源电压的阈值为 4.5V(在 250µA 流量下测试),保证了在较低电压下也能有效驱动器件,便于电路设计。
栅极电荷(Qg): 在 10V 驱动电压下,栅极电荷最大为 70nC。这一数值对开关速度有显著影响,较低的栅极电荷意味着该器件能够快速响应开关信号,适合于高频开关应用。
功率耗散能力: 此器件的最大功率耗散为 35W(在 Tc=25°C 下)。高功耗能力允许其在各种功率电路中运行,而不会因过热而损坏。
工作温度范围: STP10NK60ZFP 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,此广泛的温度范围使其适用于苛刻环境中的应用,如汽车电子和工业控制。
封装及安装类型: 该器件采用 TO-220FP 封装,适合通孔安装。TO-220 封装设计为散热提供更好支持,能有效散发在高功率运行中产生的热量。
STP10NK60ZFP 的强大性能使其适用于多个应用领域,包括但不限于:
开关电源和逆变器: 在电力电子的设计中,能够高效控制电压和电流,保证电源的稳定性。
电机驱动: 在变频器中用于控制直流或交流电机,提高电机的性能和效率。
汽车电子: 可嵌入在汽车的电源模块中,无论是在动力系统还是在辅助系统中,都能够承受恶劣的工作条件。
照明控制: 在高效照明驱动中,确保在不同负载下能够稳定工作。
STP10NK60ZFP 是一款高压、高电流和高效率的 N 沟道 MOSFET,适合于现代电子设计中的各种应用。凭借其卓越的电气特性和坚固的封装设计,无疑成为电力系统中不可或缺的理想选择。无论在工业、汽车还是消费电子领域,STP10NK60ZFP 都能够满足严苛的工作要求,帮助设计师实现更优质的电源管理方案。