STP10NK60ZFP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP10NK60ZFP

商品编码: BM0000284556
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220FP
包装 : 
管装
重量 : 
2.6g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 35W 600V 10A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
243(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
1.58
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.58
--
1000+
¥1.46
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP10NK60ZFP参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)750mΩ
功率(Pd)35W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)37pF@25V工作温度-55℃~+150℃

STP10NK60ZFP手册

STP10NK60ZFP概述

STP10NK60ZFP 产品概述

STP10NK60ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),专为高压和高电流应用而设计。此组件的关键特点包括额定漏源电压(Vdss)为 600V,连续漏极电流(Id)可达 10A,能够承受极端工作条件,是电力电子和开关电源等领域中理想的选择。

主要参数与性能

  1. 漏源电压(Vdss): 该器件的最大漏源电压为 600V,适用于许多高压应用,包括但不限于变频器、逆变器和切换电源。这使得 STP10NK60ZFP 能够在严苛的电气环境中稳定工作,保护后续电路不受过电压影响。

  2. 持续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件的连续漏极电流为 10A,进一步增强了其在高流量应用中的适应能力。适合用于电力传输和开关电源中的高效电流控制。

  3. 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压和 4.5A 的漏极电流下,导通电阻最大为 750mΩ。较低的导通电阻可以显著减少功耗,提升整体系统效率,降低发热量,是优化电源设计的关键参数。

  4. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 栅源电压的阈值为 4.5V(在 250µA 流量下测试),保证了在较低电压下也能有效驱动器件,便于电路设计。

  5. 栅极电荷(Qg): 在 10V 驱动电压下,栅极电荷最大为 70nC。这一数值对开关速度有显著影响,较低的栅极电荷意味着该器件能够快速响应开关信号,适合于高频开关应用。

  6. 功率耗散能力: 此器件的最大功率耗散为 35W(在 Tc=25°C 下)。高功耗能力允许其在各种功率电路中运行,而不会因过热而损坏。

  7. 工作温度范围: STP10NK60ZFP 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,此广泛的温度范围使其适用于苛刻环境中的应用,如汽车电子和工业控制。

  8. 封装及安装类型: 该器件采用 TO-220FP 封装,适合通孔安装。TO-220 封装设计为散热提供更好支持,能有效散发在高功率运行中产生的热量。

应用领域

STP10NK60ZFP 的强大性能使其适用于多个应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源和逆变器: 在电力电子的设计中,能够高效控制电压和电流,保证电源的稳定性。

  • 电机驱动: 在变频器中用于控制直流或交流电机,提高电机的性能和效率。

  • 汽车电子: 可嵌入在汽车的电源模块中,无论是在动力系统还是在辅助系统中,都能够承受恶劣的工作条件。

  • 照明控制: 在高效照明驱动中,确保在不同负载下能够稳定工作。

结论

STP10NK60ZFP 是一款高压、高电流和高效率的 N 沟道 MOSFET,适合于现代电子设计中的各种应用。凭借其卓越的电气特性和坚固的封装设计,无疑成为电力系统中不可或缺的理想选择。无论在工业、汽车还是消费电子领域,STP10NK60ZFP 都能够满足严苛的工作要求,帮助设计师实现更优质的电源管理方案。