类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 780mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 40W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.18nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息 STP10NK80ZFP是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。它的关键参数包括漏源电压(Vdss)高达800V,连续漏极电流(Id)为9A(在25°C时),以及最大功率耗散达到40W(在Tc条件下)。此器件采用TO-220封装,适用于需要较高散热能力的应用场合。该MOSFET由意法半导体(STMicroelectronics)生产,具有优良的电气性能。
产品特性
使用环境 STP10NK80ZFP具有广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,使其适合在各种苛刻环境中运行,尤其是在工业自动化、汽车电子和电力电子等领域。
安装与封装 STP10NK80ZFP采用TO-220封装,这种封装形式不仅方便通孔安装,还能实现优异的散热性能,适合需要散热的高功率应用。TO-220封装是许多电源设计和模块化产品设计的标准选择,以其良好的电气连接性和可靠性获得广泛应用。
应用领域 STP10NK80ZFP广泛应用于各种电力电子领域,主要包括:
总结 STP10NK80ZFP是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,具备800V的高电压承受能力和9A的载流能力,适用于高功率和高频应用场合。其独特的电气特性和耐用性,使其成为现代电力电子设备的理想选择,特别是在要求苛刻的工业和汽车市场。由于其出色的散热性能和宽广的工作温度范围,STP10NK80ZFP能够在极端工作环境下持续提供稳定的性能,助力各种电源和驱动设计的成功应用。