类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 73nC@30V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.66nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STP60NF06是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,专为需要高功率和高效率的应用而设计。其具有优良的电气性能和热特性,使其成为电源管理、开关电源、以及马达驱动等广泛应用的理想选择。
1. 漏源电压(Vdss): STP60NF06的最大漏源电压为60V,这使其能够在多种高压应用中稳定运行。此外,该电压等级适合用于较高电压的电源转换和分配应用。
2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,该器件可以承受的最大连续漏极电流为60A。这使其能够轻松驱动大功率负载,而不必担心过热或损坏。
3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): STP60NF06的栅源极阈值电压为4V @ 250µA,表明该FET在相对较小的栅极驱动电压下即可开始导通,适于多种驱动电路。
4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 在30A、10V电压下,该器件的漏源导通电阻为16mΩ。这一低电阻特性有助于降低导通损耗,提高整体系统的效率。
5. 最大功率耗散: STP60NF06具有高达110W的功率耗散能力(Tc= 25°C),表明该器件在高温条件下仍可安全运行,适合高功率应用。
6. 工作温度: 此MOSFET器件的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,使其适用于各种苛刻的环境条件,满足军事或工业级应用的需求。
7. 封装与安装: STP60NF06采用TO-220AB封装,这是通孔式元件封装,便于散热,适合于各类PCB板上安装,且便于后期的维护与更换。
STP60NF06广泛应用于电源管理系统、逆变器、开关电源、马达驱动、LED驱动电源、以及各种高频开关应用。以下是一些具体的应用实例:
开关电源(SMPS): 该FET可用于DC-DC转换器和其它开关电源电路,有助于实现高效能量转换。
马达驱动: 在电机控制和驱动电路中,STP60NF06能够驱动大电流负载,确保电机起动和运行平稳。
逆变器: 在光伏发电系统中,STP60NF06可用于逆变器,负责将直流电转换为交流电的过程。
高效LED驱动电源: 该器件的低导通电阻和高功率耗散能力使其成为LED驱动电源的理想选择。
汽车电子设备: STP60NF06在汽车电气系统中能够满足对高温和高电流的需求,适用于电动座椅、动力转向和其他电动控制设备。
综上所述,STP60NF06是一款高性能、耐高温的N沟道MOSFET,适合各种要求高电压、高电流和高效率的应用场景。其出色的技术参数和广泛的应用领域使其在现代电子设计中成为一种有价值的解决方案。对于设计工程师而言,STP60NF06无疑是实现高性能电源管理和电动控制系统的理想选择。