类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 700V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,4A |
功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
产品概述:STP9NK70ZFP (N沟道MOSFET)
STP9NK70ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET,专为高压和高效能的电源管理应用设计。该MOSFET采用了先进的金属氧化物半导体技术,能够在极高的漏源电压(Vdss)下稳定工作,适用于广泛的工业和消费电子领域。
STP9NK70ZFP的工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),使得该器件在恶劣工作环境中也能保持稳定的性能。通过优化的封装设计,该MOSFET能够在散热方面表现出色,适合于高功率应用。
STP9NK70ZFP采用TO-220FP封装形式,具备优良的热管理性能和通孔安装方式,便于客户在实际应用中实现高效散热。TO-220-3的封装设计使得该器件在电路板上的布局容易,同时便于与其他元件的相互连接。
STP9NK70ZFP特别适用于需要高压和高流量电源控制的场合,例如:
STP9NK70ZFP是一款具备高额定电压、高导通能力与低功耗特性的N沟道MOSFET,适合于现代电源应用中的各种需求。无论是在工业控制、电源转换,还是其他需要高效能表现的场合,它都提供了理想的解决方案。这一器件以其出色的电气特性和可靠的工作性能,确保能够助力设计师在不同应用场合中应对挑战,创造高效、稳健的电力解决方案。