类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 620mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 250W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44.2nC@960V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.37nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.6pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW12N120K5 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-247-3 封装,适合高电压和高功率应用。其额定漏源极电压(Vdss)高达 1200V(1.2kV),连续漏极电流(Id)能够支持 12A(在特定的散热条件下),并且具有优异的导通电阻和功耗特性。
电气特性:
开关特性:
电容特性:
散热与功率特性:
STW12N120K5 适用于多个高压高功率的电子应用场景,包括但不限于:
STW12N120K5 是一款体现了现代半导体技术的高效能 N 通道 MOSFET,凭借其高电压、高电流容量和低导通电阻等优良特性而广受欢迎。无论是在电源管理、电动机控制还是可再生能源转换等领域,它都能够为设计工程师提供高效稳定的解决方案。其 TO-247-3 封装形式也为散热和力学强度提供了有效的保障,为高性能电路设计奠定了基础。由于其多样的应用潜力,STW12N120K5 仍将继续在高技术和高需求的市场中发挥重要作用。