类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,4.2A |
功率(Pd) | 16W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.022nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 229pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP3A16GTA 是一种性能卓越的 P 通道MOSFET,专为低功耗应用而设计,其封装类型为 SOT-223。作为一种金属氧化物半导体场效应管,该器件在多个电源管理和开关电路中发挥着关键作用。其电气特性使其能够在低电压和高电流条件下有效工作,适用于广泛的工业和消费电子产品。
ZXMP3A16GTA 的设计使其在多种操作条件下均可以实现高效的性能。漏源电压高达30V,使其适合多数消费者电子及工业设备的应用。这款P沟道的MOSFET在25°C时具有5.4A的连续漏极电流能力,这为许多电路提供了强大的开关能力。
特定的栅源极阈值电压为1V,确保其在较低的驱动电压下即可开始导通,这在电池供电的设备中尤其重要。漏源导通电阻为45mΩ,表示在4.2A的电流下,MOSFET的能量损耗很小,进而提高了电路的整体效率。
在高频应用中,该器件的输入电容(Ciss)为1022pF @ 15V,展示了其良好的动态性能。更重要的是,该器件的栅极电荷(Qg)为29.6nC @ 10V,这意味着在开关操作时可以实现快速的响应能力。
由于其优越的电气特性,ZXMP3A16GTA 广泛应用于:
ZXMP3A16GTA的SOT-223封装使其易于在各种电路板上进行表面贴装,大幅简化了其在现代电子产品设计中的集成过程。其兼容的焊接工艺和优异的散热性能,确保器件在各种工作温度下稳定运行。
ZXMP3A16GTA 是一款高效的P沟道MOSFET,提供了良好的电气性能与广泛的应用可能。其高漏源电压、低导通电阻及适应广泛工作温度的特性,使其成为了许多电子设计项目中的优秀选择。在现代电源管理、负载开关及工业控制系统中,该器件将成为实现高效能的关键因素。选择 ZXMP3A16GTA,无疑是在追求高可靠性和高效率设计中的明智决策。