ZXMP3F30FHTA 产品实物图片
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ZXMP3F30FHTA

商品编码: BM0000284708
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 950mW 30V 2.8A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
7(起订量1,增量1)
批次 :
19+
数量 :
X
1.3
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.3
--
100+
¥1.04
--
750+
¥0.928
--
1500+
¥0.876
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXMP3F30FHTA参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,4.0A
功率(Pd)1.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)370pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)38pF@15V工作温度-55℃~+150℃

ZXMP3F30FHTA手册

ZXMP3F30FHTA概述

ZXMP3F30FHTA 产品概述

概述

ZXMP3F30FHTA 是一种高性能 P 通道 MOSFET,适用于各种电子应用,如开关电源、马达驱动以及负载开关等。它具有低导通电阻、高电流承载能力和宽广的工作温度范围,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。此器件由美台(DIODES)公司制造,封装类型为 SOT-23,便于表面贴装,适合于紧凑型电路板设计。

主要参数

  • FET 类型: P 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 30V
  • 连续漏极电流(Id): 最大可达 2.8A(在 25°C 环境温度下)
  • 导通电阻(Rds On): 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 2.5A 时,最大值为 80 毫欧。导通电阻的低值有助于减少功耗和发热,提高电路效率。
  • 驱动电压: 驱动电压要求为 4.5V 至 10V,确保在各种电压条件下均可稳定工作。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 1V(在 250µA 流量下),表明该器件在较低栅极电压下即可导通,适合低电压驱动应用。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 7nC(在 Vgs 为 10V 时),有助于降低开关损耗,提高开关频率的能力。
  • 工作温度范围: 可在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作,使其适用于多种极端环境条件。

设计与应用

ZXMP3F30FHTA 采用 SOT-23 表面贴装封装,尺寸小巧,便于集成到各种电子设备中。其低导通电阻和高电流处理能力,使其成为高效率电源管理和驱动电路的理想选择。常见应用包括:

  1. 开关电源: 在 DC-DC 转换器中作为主开关,以提升能效。
  2. 马达驱动: 在小型电机控制电路中,有助于实现功率控制。
  3. 负载开关: 适用于各种开关负载的场景,如 LED 照明、家居自动化和其他高功率应用。

结论

ZXMP3F30FHTA 是一款高效、性能卓越的 P 通道 MOSFET,特别适合需要低电阻和高电流能力的应用场景。凭借其优良的热管理特性和宽广的工作温度范围,它能在多种环境条件下保持稳定可靠的性能。无论是在消费电子、工业自动化还是能源管理系统中,ZXMP3F30FHTA 都能为设计工程师提供出色的解决方案以满足现代电子产品的发展需求。

总之,ZXMP3F30FHTA 是一款具备高效能与可靠性的场效应管,其优秀的性能指标和多样的应用范围使其成为现代电子设计的优选组件。