类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,4.0A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 370pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP3F30FHTA 是一种高性能 P 通道 MOSFET,适用于各种电子应用,如开关电源、马达驱动以及负载开关等。它具有低导通电阻、高电流承载能力和宽广的工作温度范围,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。此器件由美台(DIODES)公司制造,封装类型为 SOT-23,便于表面贴装,适合于紧凑型电路板设计。
ZXMP3F30FHTA 采用 SOT-23 表面贴装封装,尺寸小巧,便于集成到各种电子设备中。其低导通电阻和高电流处理能力,使其成为高效率电源管理和驱动电路的理想选择。常见应用包括:
ZXMP3F30FHTA 是一款高效、性能卓越的 P 通道 MOSFET,特别适合需要低电阻和高电流能力的应用场景。凭借其优良的热管理特性和宽广的工作温度范围,它能在多种环境条件下保持稳定可靠的性能。无论是在消费电子、工业自动化还是能源管理系统中,ZXMP3F30FHTA 都能为设计工程师提供出色的解决方案以满足现代电子产品的发展需求。
总之,ZXMP3F30FHTA 是一款具备高效能与可靠性的场效应管,其优秀的性能指标和多样的应用范围使其成为现代电子设计的优选组件。