晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 2.1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 55@5A,1V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 65mV@1A,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN2010ZTA是由DIODES(美台)公司生产的一款高性能NPN型功率三极管,专为高效能和小型化设计需求而生。该元器件采用表面贴装(SMT)技术,封装规格为SOT-89-3,适合在现代电子设备中广泛应用。其主要参数包括额定功率2.1W,集电极电流Ic最大值为5A,集射极击穿电压Vce最大值为60V,是一款在中高速功率处理应用中表现卓越的三极管。
电气特性
温度特性
频率性能
增益特性
饱和压降特性
ZXTN2010ZTA的应用场景极为广泛,主要适用于以下领域:
ZXTN2010ZTA采用SOT-89-3封装,表面贴装型设计使其适用于现代自动化生产线。这种小型封装不仅有助于减少电路板面积,还能提高散热性能,有效降低工作温度,提升元器件的可靠性。
综上所述,ZXTN2010ZTA是一款具备高功率、高电流及宽温度范围的NPN三极管,广泛应用于电源、放大器和高频电路等领域。其低饱和压降特性及优良的增益性能使其在高效能设计中占据重要地位,是现代电子设备设计中不可或缺的重要元件。对于寻求高效能、小型化解决方案的设计工程师而言,ZXTN2010ZTA无疑是一个值得投资的佳选。