ZXTN2011GTA
ZXTN2011GTA参数
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 6A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 24W |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5A,2V | 特征频率(fT) | 130MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 65mV@1A,100mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN2011GTA手册
ZXTN2011GTA概述
产品概述：ZXTN2011GTA
产品名称：ZXTN2011GTA
类型：NPN 晶体管
封装：SOT-223
供应商：DIODES（美台）
一、基本参数
ZXTN2011GTA 是一款高性能的 NPN 型晶体管，其主要特点包括高集电极电流（Ic）能力达 6A，具有出色的电压和功率处理能力，适合于多种高功率和高速度开关应用。该元件的额定功率为 3W，集射极击穿电压为 100V，极大地增加了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
二、性能特点
高集电极电流: ZXTN2011GTA 允许最大集电极电流达到 6A，这使它在需要大电流驱动的场合表现卓越。
优异的电压承受能力: 其集射极击穿电压（Vce）为最大 100V，适合用于需要高电压工作的电路，有效防止过压情况的发生。
较低的饱和压降: 在 500mA 到 5A 的范围内，ZXTN2011GTA 的 Vce 饱和压降最大值仅为 220mV，这对于提高电路的功率效率至关重要。
良好的电流增益: 在 2A 和 2V 的条件下，ZXTN2011GTA 的 DC 电流增益（hFE）最小值可达 100，确保信号处理能力强，且能够提供较高的开关增益，适合于放大和开关应用。
快速的频率响应: 其跃迁频率为 130MHz，因此在高频开关应用中可以保持良好的性能表现。
宽广的工作温度: 该器件的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适应各种极端环境条件，能够在多个行业的应用中稳定运行。
三、应用领域
ZXTN2011GTA 适用于多种电子应用场合，特别是在以下领域表现尤为出色：
开关电源: 高集电极电流与低饱和压降的特性，使其成为高效开关电源设计的理想选择。
功率放大器: 借助其优秀的电流增益，该晶体管可以用作类比信号的功率放大器，适合音频和视频信号处理。
电机驱动: 能够支持高电流的运行特点，使其非常适合用于各种电机控制电路。
线性稳压器: ZXTN2011GTA 适用于需要线性输出的稳压器设计，能够提供高输出电流和低噪声。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围和可靠性，该产品可在汽车应用中如驱动电路、灯光控制等方面得到应用。
四、安装方式
ZXTN2011GTA 采用SOT-223 表面贴装型封装，适合现代电子电路的布局需求。这种封装形式不仅便于自动化焊接和安装，还能有效节省板面积，使其广泛应用于高密度电路设计中。
结论
作为一种高性能的 NPN 晶体管，ZXTN2011GTA 以其出色的电流和电压特性，低饱和压降，高频响应以及宽广的工作温度范围，在众多应用中展现出了强劲的性能。适合需要高效能和高可靠性的电源管理、电机驱动及信号放大等多个领域。本器件的设计和参数选择使得它在电子行业中的应用前景广阔，能够有效满足各类设计需求，是工程师们在开发过程中值得优先考虑的选择。