晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 4.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 19.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 450@200mA,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 115mV@2A,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTNS618MCTA 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 NPN 型双极晶体管(BJT),它集成了一种隔离型二极管,专门设计用于高效的功率放大和开关应用。该器件采用了现代封装技术——8-WDFN(3x2毫米),适合表面贴装(SMD),这使得其在空间受限的设计中表现出色。凭借其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,ZXTNS618MCTA 是诸多电子应用的理想选择,尤其在汽车、电信和消费电子行业中具有广泛的应用潜力。
ZXTNS618MCTA 的特性使其在多种应用场景中表现出色:
ZXTNS618MCTA 是一款多功能的 NPN 晶体管,其高集电极电流、优良的频率响应、宽温度范围加上小巧的表面贴装封装,使其在现代电子设计中成为了极具吸引力的选择。无论是在汽车、通信设备还是其他需要高效开关和放大功能的领域,都能发挥出色的性能。未来,随着电子设备对功率、体积和效率的更高要求,ZXTNS618MCTA 将继续在多个领域中展现其实力和价值。