| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 6A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 耗散功率(Pd) | 3W |
| 直流电流增益(hFE) | 100@2A,2V | 特征频率(fT) | 120MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 95mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 数量 | 1个PNP |
ZX5T1951GTA 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能 PNP 型三极管,封装采用 SOT-223,为表面贴装型(SMD)。该产品在现代电子电路设计中具有广泛的应用价值,主要适用于高电流和高功率需求的场合。凭借其优越的参数表现,ZX5T1951GTA 成为各种消费类电子产品、电力控制系统和自动化设备中重要的元器件选择之一。
ZX5T1951GTA 的设计使其适合于多种典型应用,包括但不限于:
ZX5T1951GTA 以其强大的电流承载能力和年轻的工作温度范围,使其在面对瞬时电流和热冲击时表现出色。此外,低饱和压降和高hFE也使其在大功率、高频应用中保持高效工作,有助于降低系统的能耗和热量管理的复杂性。
ZX5T1951GTA 是一款高性能、功能丰富的 PNP 型三极管,凭借其出色的技术参数和广泛的应用领域,为设计工程师提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车产业,ZX5T1951GTA 都可以作为关键组件,帮助提高设备的稳定性、效率和整体性能。通过选择 ZX5T1951GTA,设计师能够确保其产品在满足当前需求的同时,具备应对未来挑战的潜力。