2N7002E-T1-GE3

产品概述：2N7002E-T1-GE3 MOSFET

基本信息
2N7002E-T1-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由VISHAY（威世）公司制造，广泛应用于各种智能电子产品和电源管理系统。该器件采用了TO-236（又称SOT-23-3或SC-59）封装，适合表面贴装，具有良好的散热性能和可靠性。

关键参数

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 240mA (在环境温度为25°C时)
• 导通电阻（RDS(on)）: 最大3Ω (在10V时，流过250mA的条件下)
• 阈值电压（VGS(th)）: 2.5V @ 250µA
• 最大耗散功率: 350mW
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C

电气特性
2N7002E-T1-GE3MOSFET展现出低导通电阻的特性，减少了损耗，提高了效率。其在10V驱动电压下的导通电阻为3Ω，适合需要高效能与较低功耗的应用场景。同时，其漏源电压可承受最高60V，使其在多种电气环境中都能安全工作。

该器件还具有较低的栅极电荷(Qg)——仅为0.6nC @ 4.5V，确保其在开关频率较高的应用中保持快速响应，适合用作高频功率开关。

应用领域
由于其优良的电气特性，2N7002E-T1-GE3可以广泛应用于：

• 电源开关: 该MOSFET能有效控制电源的打开与关闭，适合用于开关电源、DC-DC转换器等。
• 信号开关: 在音频、视频和其他信号线路中，用于信号的选择与开关。
• 驱动电路: 该器件可用于简单的电机驱动、LED驱动及其他负载的控制。
• 保护电路: 用于过流或过压保护电路中，以防止进一步损坏电路。

使用指导
在使用2N7002E-T1-GE3 MOSFET时，设计工程师应关注最大反向栅极电压（VGS最大值为±20V）以及工作温度范围，在高温环境下确保适当的散热设计以维持稳定性能。此外，必须确保漏极电流不超过最大额定值（240mA），以防止器件的损伤或故障。

总结
总体而言，2N7002E-T1-GE3是功能强大且可靠的N沟道MOSFET，结合低导通电阻与较高的工作电压，使其在许多电子应用中成为理想之选。不论是在电源管理、信号调节还是负载控制方面，它都具有良好的伸缩性，能够满足市场对高效能、高稳定性的电气组件的需求。选择2N7002E-T1-GE3，将为您的设计提供优质的电气性能与稳定的使用体验。