类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@2.5V,2A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 245pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO3434A是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为高效能和低功耗应用设计。其在电源管理、开关电路、负载驱动等领域表现出色,具有广泛的应用前景。这款MOSFET在电流处理能力、开关特性以及热管理上表现优异,是现代电子设备中的重要元器件。
漏源电压(Vdss):AO3434A的漏源电压为30V,这使其能够支持相对高的电压应用场合,在工业驱动、电池管理系统和便携式设备等场景中均有广泛应用。
连续漏极电流(Id):在室温(25°C)下,AO3434A能够提供高达4A的连续漏极电流,为高功率负载的驱动提供了可靠保障。这一参数的设计使得该MOSFET可有效应对较高电流需求的应用场景。
栅源极阈值电压:AO3434A的栅源极阈值电压为1.5V @ 250µA。这一较低的阈值电压允许MOSFET在较低电压下启动,从而提高了电源管理电路的效率和灵敏度,适合在低电压驱动条件下工作。
漏源导通电阻:业内优秀的漏源导通电阻特性,AO3434A在4A、10V的条件下,其导通电阻为52mΩ。低导通电阻意味着更小的能量损耗和更少的热量产生,对于高频开关应用尤为重要。
最大功率耗散:在室温(Ta=25°C)条件下,AO3434A的最大功率耗散为1.4W,此参数为设计工程师在电路设计中评估散热能力和功率限制提供了重要依据,确保在各种应用中MOSFET的可靠性和稳定性。
AO3434A采用SOT-23-3L封装,这种小型化封装设计适合于空间有限的电路板布局,同时能够满足高密度电路的需求。其体积小巧使得AO3434A在便携设备、移动设备和各种消费电子中量产应用成为可能。
该元器件由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)品牌生产,AOS是一家享有盛誉的半导体制造商,专注于创新型功率器件的研发。其产品因卓越的性能和可靠的质量在全球范围内被广泛采用。
AO3434A的特性使其在多个应用领域具有广泛的适用性:
电源管理:非常适合于DC-DC转换器以及电源开关电路,能够在高效能和节能方面达到优良的平衡。
负载驱动:能够高效驱动电机、灯具和其他大功率负载,在各种家电和工业设备中得到广泛应用。
开关电路:在高频开关电源中应用广泛,得益于其低导通电阻和快速开关特性,保证了高效的性能。
电池管理系统:在充电和放电过程中提供优良的性能,加速电子产品的充电效率,提高电池的使用寿命。
消费电子:在便携式和移动设备如手机、平板、笔记本电脑和其他相类似的电子产品中表现出色,因其高集成度和低功耗设计,能够有效延长设备的使用时间。
AO3434A是一款具备高性能和广泛应用潜力的N沟道MOSFET,其设计优秀的电气参数和小型封装,使其在当前快速发展的电子产业中占据了重要的地位。无论是在电源管理、负载驱动还是开关电路应用,AO3434A都体现了其高效、可靠、经济的优越性,为各种电子设备的性能提升和能耗降低贡献了重要力量。对于设计师和工程师而言,选择AO3434A将是一种明智的决策。