AO4466 产品实物图片
AO4466 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO4466

商品编码: BM0000284899
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.205g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
15(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.64
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.64
--
200+
¥0.442
--
1500+
¥0.401
--
3000+
¥0.375
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4466参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V,10A
功率(Pd)3.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)448pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)58pF@15V工作温度-55℃~+150℃

AO4466手册

AO4466概述

AO4466 产品概述

AO4466 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),其漏源电压(Vdss)达到 30V,能够处理的连续漏极电流(Id)在 25°C 环境下可达 10A。这款 MOSFET 以其良好的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路和电源管理系统中。

主要特性

  1. 高漏源电压(Vdss): AO4466 的漏源电压为 30V,适合多种中低压应用场合,如电源开关、DC-DC 转换器等。其相对较高的电压等级使其能够在多种工作环境下稳定运行。

  2. 优秀的电流承载能力: 此 MOSFET 在 25°C 环境下的连续漏极电流可达 10A,确保在重负载条件下设备的高效运行。此外,漏源导通电阻为 23mΩ(在 10A,10V 的条件下),极大降低了功耗和热量生成,为开关应用提供了更佳的能效。

  3. 适宜的栅源极阈值电压: AO4466 的栅源极阈值电压为 2.6V @ 250µA,这一特性使得该 MOSFET 能够有效地与 3.3V 和 5V 的控制电压系统兼容,便于与微控制器和数字电路集成。

  4. 优异的热管理: 其最大功率耗散为 3.1W(在 Ta = 25°C 的条件下),为 MOSFET 提供了优良的热性能,确保在高电流和高功率环境下的可靠性。合理的功率耗散特性使得 AO4466 可以应用于需要长时间连续工作的设备中。

  5. 紧凑的封装设计: AO4466 使用 SOP-8 封装,确保了其在电路板上的空间利用率高,同时便于自动化贴片和组装。其封装形式也有助于提高散热性能。

应用场景

AO4466 适合用于多种电子电路及应用,主要包括但不限于:

  • 开关电源:利用其高效的开关特性,AO4466 可用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,提供稳定的输出电压和电流。
  • 电机驱动:其良好的电流承载能力和快速开关特性使其适合用于电机驱动电路,提供高效率的控制。
  • LED 驱动电路:在 LED 照明应用中,AO4466 可以用作开关元件,实现高效的 LED 驱动,降低能耗。
  • 电池管理:在充电和放电过程中,AO4466 可用于电池管理系统,确保安全与效率。

总结

AO4466 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET,凭借其高漏源电压、优秀的电流承载能力和优良的功率耗散特性,在各种电子产品中显示出广泛的适用性。无论是用于开关电源、电机驱动,还是 LED 驱动和电池管理,AO4466 提供了可靠的解决方案。该器件的设计不仅提高了能效,还提升了产品的整体性能和可靠性,必将成为工程师们在设计中的重要选择。