类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@4.5V,7.7A |
功率(Pd) | 1.44W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 448pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 41pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO4842 是一款高性能的 N 通道场效应管 (MOSFET),专门设计用于各种电子设备的开关和放大应用。它以其卓越的导通电阻、优异的开关特性和宽广的工作温度范围而受到电子设计工程师的青睐。该器件的典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及其他需要高效电源管理的电路。AO4842 的优化特性使其在高频、高效能和小型化设计中表现出色。
AO4842 采用 SOIC-8L 封装,便于在有限空间内实现高密度的布局,同时又提供了出色的散热性能。来自 AOS(Advanced Semiconductor, Inc.)的产品通常质量可靠,拥有良好的市场声誉,适合工业、消费电子和汽车电子等多个领域的应用。
AO4842 是一款兼具高效能和高集成度的 N 通道 MOSFET,凭借其极低的导通电阻和快速开关能力,成为众多电子应用中的理想选择。无论是电源转换、电机控制,还是负载开关应用,AO4842 都能提供卓越的性能和稳定的工作状态,同时支持更高效的设计和更小的电路尺寸。对于工程师来说,这款器件不仅能够优化设计,还能够提高最终产品的性能和可靠性。