类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 78A;8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16.5mΩ@20A,10V |
功率(Pd) | 187W;2.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 100nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.4nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 330pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
基本信息
AOB411L 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),采用 TO-263-3(D²Pak)封装,专为高效率和高功率应用设计。该型号由 AOS(Advanced Analog Solutions)公司生产,凭借其卓越的电气性能和可靠的封装设计,广泛适用于电源管理、开关电路以及其他高功率电子设备中。AOB411L 的主要技术参数包括漏源极电压(V_ds)最大可达 60V,额定功率可达 187W,最大漏电流可达 78A,使得该产品在电源转换和高电流应用中表现出色。
关键参数
特性及优势
高效能: AOB411L 的设计充分考虑了电流和电压的承载能力,使其能够在高功率和高电压环境下稳定工作。这使得该器件在需要高效能转换的场合,如电源适配器和光伏逆变器中,成为理想选择。
优秀的热性能: 由于采用了 TO-263 封装,AOB411L 能够有效散热,这对于长时间运行的高功率应用尤为重要。其额定功率高达 187W,保证了设备在极端条件下也能可靠工作。
快速开关特性: P 沟道 FET 通常具有较低的开关损耗,AOB411L 同样在这方面表现优秀,使得其在高频开关应用中效率更高,能有效降低功耗,为设备的整体性能提升贡献显著。
可靠性高: AOS 在生产过程中严格把控质量,确保每个元件都符合高级别标准。AOB411L 在长时间内的耐久性和稳定性使其在工业应用中获得信赖。
易于集成: 作为表面贴装元件,AOB411L 易于在现代电子产品的紧凑设计中集成。这对于需要高密度布线的电路设计尤为重要,可以有效提高生产效率和降低制造成本。
应用场景
AOB411L 的广泛应用领域包括但不限于:
总结
综上所述,AOB411L 是一个高效、可靠且多功能的 P 沟道 MOSFET,适用于多种高功率电子应用。凭借卓越的性能和全面的应用前景,AOB411L 使电子设计工程师能够在严苛的条件下实现所需的功能和效率。随着电子设备向着更高的效率和更小的占用空间发展,AOB411L 无疑是一个值得考虑的优秀选择。