类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,15A |
功率(Pd) | 62.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.55nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@20V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
AOD4185 是一款高性能的 P 型沟道场效应管(MOSFET),专为高效电源管理和开关应用而设计。该元件的额定漏源电压高达 40V,连续漏极电流可达 40A,适用于各种电力电子设备,尤其是在要求高可靠性和高效率的场合。
AOD4185 的设计使其非常适合用于以下应用:
AOD4185 的价格合理,且在市场上有良好的可用性,适合大规模生产和采购。AOS 的品牌口碑使得该器件在电子元器件市场中具有竞争优势,能够满足广泛的客户需求。
AOD4185 融合了高性能、可靠性和经济性,是电源管理、马达驱动及开关应用的理想选择。凭借其优异的电气参数和可靠的工作性能,这款 P 型沟道 MOSFET 适合广泛的电子设备和系统,不论是在消费类电子产品还是工业应用中都展现出了其独特的价值。选择 AOD4185,您可获得高效能和高可靠性的解决方案,为您的设计带来更大的灵活性和性能保障。