1N5819HW1-7-F 产品实物图片
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1N5819HW1-7-F

商品编码: BM0000284982
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD123F
包装 : 
编带
重量 : 
0.04g
描述 : 
超势垒整流器(SBR) 510mV@1A 40V 500uA@40V 1A SOD-123F
库存 :
2117(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
0.454
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.454
--
3000+
¥0.425
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

1N5819HW1-7-F参数

正向压降(Vf)510mV@1A直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A反向电流(Ir)500uA@40V

1N5819HW1-7-F手册

1N5819HW1-7-F概述

1N5819HW1-7-F 产品概述

产品简介

1N5819HW1-7-F 是一款高性能的超级势垒整流器,专为高效能电路设计而成,适用于各种电子应用,如开关电源、逆变器、充电器和温控器等。其具有低正向压降和快速恢复特性,使其在提升能效、减少能量损失方面表现出色。该器件由DIODES(美台)公司制造,具有极高的可靠性和稳定性,适合在高温、动态工作环境中使用。

关键特性

  1. 直流反向耐压 (Vr): 40V
    1N5819HW1-7-F 的最大直流反向耐压可达到40V,能够在多种电压环境下安全稳定工作,充分满足不同电路设计的需求。

  2. 平均整流电流 (Io): 1A
    该器件能够承受1A的平均整流电流,适合于日常电子产品中的高电流应用。

  3. 低正向压降 (Vf): 510mV @ 1A
    其在1A负载下正向压降仅为510mV,显著降低了发热量,从而提高了系统的能效和可靠性。

  4. 反向恢复时间 (trr): 15ns
    具有快速的反向恢复时间,适用于高频开关电路,能够有效提高开关频率,减少开关损耗。

  5. 反向泄漏电流: 500μA @ 40V
    在40V的反向电压下,反向泄漏电流为500μA,表现出优良的电绝缘性。

  6. 封装类型: SOD-123F
    该器件采用表面贴装型封装(SOD-123F),小巧轻便,适合于现代电子产品的小型化设计。

  7. 工作温度范围: -55°C ~ 125°C
    广泛的工作温度范围使得该器件可以在极端环境条件下正常工作,适用于各种工业和消费类电子设备。

应用领域

  1. 开关电源: 由于其低正向压降和低反向恢复时间,1N5819HW1-7-F 非常适合用于开关电源中的整流部分,提高了转换效率,减少了损耗。

  2. 逆变器: 在太阳能逆变器等应用中,能有效提高能量转换率,适合高效能处理。

  3. 充电器电路: 该器件在移动设备及电池充电器中使用,可以有效地提升充电速度和效率。

  4. LED驱动: 在LED电源驱动器中,能够有效整流,从而确保稳定的电流输出。

  5. 温控器和家电: 其广泛的工作温度范围和优良的性能使其适合应用于各种家电及温控系统。

总结

综上所述,1N5819HW1-7-F是一款具有优良性能的超级势垒整流器,凭借其低正向压降、快速反向恢复及广泛的工作温度范围,广泛应用于开关电源、逆变器、充电器及其他电子产品中。DIODES(美台)作为其供应商,提供了可靠的品质保障,使该产品在各种应用场合中可以稳定运行,从而满足现代电子产品对高效能、高可靠性和小型化的需求。企业和设计工程师可以放心在其设计布局中选择该器件,以提升整体系统的性能与可靠性。