2SB1184TLR
2SB1184TLR参数
| 额定功率 | 15W | 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 500mA，3V | 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 70MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
2SB1184TLR手册
2SB1184TLR概述
2SB1184TLR 产品概述
一、产品简介
2SB1184TLR 是一款由日本 ROHM（罗姆）半导体公司推出的高性能 PNP 型三极管（BJT），其设计和性能特别适合多种电子应用，尤其是在高频率和大电流的工作环境中。该器件具有出色的电流增益和稳定的电气特性，广泛应用于功率放大器、开关电源、电机驱动等电路中。
二、技术参数
- 额定功率: 15W
- 集电极电流 (Ic): 最大 3A
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最多 1V（在 200mA 和 2A 的条件下）
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大 1μA
- DC 电流增益 (hFE): 最小值 180（在 500mA 和 3V 的条件下）
- 频率 – 跃迁: 70MHz
- 工作温度: 最大 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装/外壳类型: TO-252，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
三、应用领域
2SB1184TLR 被广泛应用于许多电子设备和系统，包括但不限于：
功率放大器: 由于其高额定功率和集电极电流能力，2SB1184TLR 常用于音频功率放大器和无线通讯设备中，以增强信号质量和传输距离。
开关电源: 此晶体管的高频率特性使其成为开关电源设计的理想选择，能有效提高能源转换效率，降低电源热损耗。
电机驱动: 在直流电机控制和驱动电路中，2SB1184TLR 可用作开关装置，有效控制电机启停与转速调节。
信号处理电路: 其良好的增益特性和较高的工作频率使得它在各种信号放大和处理电路中都表现优秀。
四、优点与特点
高增益特性: 2SB1184TLR 的电流增益 (hFE) 高达 180，使其在进行信号放大时可减少驱动电流需求，提高电路的整体效率。
耐高温特性: 该器件的工作温度最高可达 150°C，使其在面对高温环境时依旧保持稳定性能，适合在严苛条件下运行。
紧凑的封装设计: TO-252 封装设计不仅节省不必要的空间，还便于自动化组装，适应现代电子产品对小型化的需求。
低饱和压降: 在高负载工作条件下，较低的饱和压降 (1V) 意味着更高的能效和更适合电源管理应用。
五、结论
2SB1184TLR 是一款功能强大且多功能的 PNP 型三极管，凭借其卓越的性能参数、广泛的应用领域以及符合现代设计需求的封装类型，非常适合各种电子产品和系统的设计与开发。无论是在工业、消费电子还是通信设备中，2SB1184TLR 都展现了其可靠性与高效能，是设计工程师值得信赖的选择。