电源电压 | 3V~8V | 工作温度 | -40℃~+105℃ |
AH49FDNTR-G1 是由 DIODES(美台)公司制造的一款高性能霍尔效应传感器,旨在为各种电子应用提供精准的磁场检测与转换功能。该传感器采用表面贴装型(SMD)的安装方式,适合于现代电子设备的小型化设计需求。
霍尔效应传感器利用霍尔效应原理,通过对外部磁场的感应,输出与磁场强度成正比的模拟电压信号。当磁场施加于传感器时,传感器内部的半导体材料会产生垂直于电流方向的电压,最终形成输出信号。AH49FDNTR-G1 传感器具有单路输出,能够有效捕捉到来自不同方向的磁场变化,适用于许多需要磁场检测的应用场合。
AH49FDNTR-G1 传感器采用 U-DFN2020-6 封装,封装尺寸小巧,可以有效节省PCB板空间。这种封装形式不仅有助于提升产品的整体集成度,还具有良好的散热性能,确保在高负载条件下的电气稳定性。
AH49FDNTR-G1 霍尔效应传感器广泛应用于自动化设备、工业控制、消费电子以及汽车电子等多种领域。具体应用包括:
AH49FDNTR-G1 的设计理念专注于高可靠性与高灵敏度,同时兼顾了多种操作温度和供电条件。这使得它相较于其他竞争产品,能够在更加广泛的环境中稳定运行。此外,表面贴装设计还可以降低生产成本,提升制造效率。
综合来看,AH49FDNTR-G1 霍尔效应传感器凭借其出色的技术规格和广泛的应用前景,成为电子产品设计中不可或缺的组成部分。无论是在工业应用还是在日常消费电子中,它都表现出了优异的性能与可靠性,是制造商和开发者值得信赖的选择。