AH49FDNTR-G1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AH49FDNTR-G1

商品编码: BM0000285074
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.017g
描述 : 
霍尔效应-传感器-单路-轴-U-DFN2020-6(C-类)
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.31
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.31
--
100+
¥1.85
--
750+
¥1.65
--
1500+
¥1.56
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AH49FDNTR-G1参数

电源电压3V~8V工作温度-40℃~+105℃

AH49FDNTR-G1手册

AH49FDNTR-G1概述

产品概述:AH49FDNTR-G1 霍尔效应传感器

AH49FDNTR-G1 是由 DIODES(美台)公司制造的一款高性能霍尔效应传感器,旨在为各种电子应用提供精准的磁场检测与转换功能。该传感器采用表面贴装型(SMD)的安装方式,适合于现代电子设备的小型化设计需求。

1. 工作原理及技术特性

霍尔效应传感器利用霍尔效应原理,通过对外部磁场的感应,输出与磁场强度成正比的模拟电压信号。当磁场施加于传感器时,传感器内部的半导体材料会产生垂直于电流方向的电压,最终形成输出信号。AH49FDNTR-G1 传感器具有单路输出,能够有效捕捉到来自不同方向的磁场变化,适用于许多需要磁场检测的应用场合。

2. 基础参数

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),适合自动化生产,便于高密度布板。
  • 技术:霍尔效应,确保高灵敏度和稳定的输出性能。
  • 输出类型:模拟电压,这一特性便于与其他模拟电路集成。
  • 电流 - 供电(最大值):4mA,提供足够的供电能力而不会对设备造成负担。
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C,满足各种恶劣环境下的工作需求。
  • 电压 - 供电:3V ~ 8V,宽电压范围使其适用于多种电源设计。
  • 感应范围:±80mT,适合多样化的应用场景。

3. 封装特性

AH49FDNTR-G1 传感器采用 U-DFN2020-6 封装,封装尺寸小巧,可以有效节省PCB板空间。这种封装形式不仅有助于提升产品的整体集成度,还具有良好的散热性能,确保在高负载条件下的电气稳定性。

4. 应用场景

AH49FDNTR-G1 霍尔效应传感器广泛应用于自动化设备、工业控制、消费电子以及汽车电子等多种领域。具体应用包括:

  • 电机控制:通过检测磁场变化,可以实现电机速度和方向的反馈,优化控制策略。
  • 位置传感器:在机器人、自动化生产线等领域,根据磁场来判断物体位置,实现精准定位。
  • 安全系统:监测房屋或汽车的门窗状况,保障安全防护。
  • 消费电子产品:如智能手机、平板、穿戴设备等,利用霍尔效应传感器实现近场检测和用户交互功能。

5. 竞争优势

AH49FDNTR-G1 的设计理念专注于高可靠性与高灵敏度,同时兼顾了多种操作温度和供电条件。这使得它相较于其他竞争产品,能够在更加广泛的环境中稳定运行。此外,表面贴装设计还可以降低生产成本,提升制造效率。

结论

综合来看,AH49FDNTR-G1 霍尔效应传感器凭借其出色的技术规格和广泛的应用前景,成为电子产品设计中不可或缺的组成部分。无论是在工业应用还是在日常消费电子中,它都表现出了优异的性能与可靠性,是制造商和开发者值得信赖的选择。