类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@2.5V,1.5A |
功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.3nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12.6pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品介绍
AO3422是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),被广泛应用于各种电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器和各种低功耗应用。采用SOT-23-3封装,AO3422具有较小的体积和优秀的热管理特性,适合在空间受限的设计中使用。该器件的最大漏源电压为55V,能够满足多种电源管理和转换电路的需求。
主要技术参数
漏源电压(Vdss): 55V
连续漏极电流(Id): 2.1A (在25°C下)
栅源极阈值电压: 2V @ 250µA
漏源导通电阻: 160mΩ @ 2.1A, 4.5V
最大功率耗散: 1.25W (在Ta=25°C时)
封装类型: SOT-23-3
应用领域
AO3422被广泛应用于多种电源管理和控制系统,包括但不限于:
总结
总而言之,AO3422是一款功能全面且性能优异的N沟道MOSFET,凭借其良好的电气特性和紧凑的封装,能够满足现代电子器件对高压高效率的需求。未来在诸如电动汽车、新能源、机器人技术等持续发展的领域,AO3422也将显示出其广泛的适应性与应用价值。