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AO3422 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO3422

商品编码: BM0000285083
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.068g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 55V 2.1A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存 :
2037(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.632
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.632
--
200+
¥0.435
--
1500+
¥0.396
--
3000+
¥0.37
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3422参数

漏源电压(Vdss)55V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.1A
栅源极阈值电压2V @ 250uA漏源导通电阻160mΩ @ 2.1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W类型N沟道

AO3422手册

AO3422概述

AO3422 产品概述

产品介绍

AO3422是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),被广泛应用于各种电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器和各种低功耗应用。采用SOT-23-3封装,AO3422具有较小的体积和优秀的热管理特性,适合在空间受限的设计中使用。该器件的最大漏源电压为55V,能够满足多种电源管理和转换电路的需求。

主要技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): 55V

    • AO3422适用于最多55V的电压应用,能够处理较高电压,从而增强了其在工业和消费类电子产品中的适用性。
  2. 连续漏极电流(Id): 2.1A (在25°C下)

    • AS3422设计的连续漏极电流为2.1A,这意味着它能够在相对较高的电流工作下有效地运行,这对实现高效能的开关应用至关重要。
  3. 栅源极阈值电压: 2V @ 250µA

    • 该特性表明AW3422在2V的栅源电压下即可达到250µA的漏极电流,这展示了其良好的启动特性,适合于低电压控制的应用。
  4. 漏源导通电阻: 160mΩ @ 2.1A, 4.5V

    • 值得注意的是,AO3422在2.1A电流下的漏源导通电阻为160mΩ,低导通电阻属性能够有效降低功耗和发热,增加设计的总体效率。
  5. 最大功率耗散: 1.25W (在Ta=25°C时)

    • AO3422的最大功率耗散能力为1.25W,使其能够在高功率应用中保持良好的性能。
  6. 封装类型: SOT-23-3

    • SOT-23-3封装的设计使得该器件在电路设计中的布局变得更加灵活,适合小型化的产品设计需求。

应用领域

AO3422被广泛应用于多种电源管理和控制系统,包括但不限于:

  • 开关模式电源(SMPS): 作为主开关管或同步整流管,AO3422在高频率和高效率的开关电源中表现优异。
  • DC-DC转换器: 尤其适用于高效能的Buck、Boost和Buck-Boost转换器,使其在电池供电设备中得到广泛应用。
  • 电源管理IC: AO3422可以用作功率开关,适合于各种电源管理IC的应用,帮助实现更高的能量转换效率。
  • 医疗设备、消费电子和工业自动化: 在这些领域中,AO3422以其小尺寸和高效能得到了广泛的应用,如便携式设备、传感器、LED驱动器等。

总结

总而言之,AO3422是一款功能全面且性能优异的N沟道MOSFET,凭借其良好的电气特性和紧凑的封装,能够满足现代电子器件对高压高效率的需求。未来在诸如电动汽车、新能源、机器人技术等持续发展的领域,AO3422也将显示出其广泛的适应性与应用价值。