AO4611
AO4611参数
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@4.5V,4.4A |
| 功率(Pd) | 1.28W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 55nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.9nF@5V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO4611手册
AO4611概述
AO4611 产品概述
AO4611 是一款基于 SOIC-8 封装的双通道场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各种高效能电源管理和信号开关的应用需求。该器件包含一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET，适用于广泛的电子设备，可以实现高密度集成和低功耗操作。
主要规格与特性
安装类型: AO4611 使用表面贴装型(SMT)布局，适合现代电路板的紧凑设计。这种安装方式在电子设备制造中已成为主流，可以有效减少空间占用，简化焊接和组装工艺。
导通电阻: 在 6.3A 的直流电流下，在 Vgs 为 10V 时，AO4611 的最大导通电阻仅为 25 毫欧。这一特性使得该器件在高载流量应用中能够有效降低功耗，提升整体效率。
输入电容 (Ciss): 在漏源电压 Vds 为 30V 的情况下，输入电容的最大值为 2300pF。这一参数表明该 MOSFET 在高频开关时的表现，有助于提升开关速度，降低开关损耗。
栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 的条件下，栅极电荷的最大值为 58nC。较低的栅极电荷意味着该器件在驱动时消耗的能量较少，适合高速开关应用，如 DC-DC 转换器、功率放大器等。
漏源电压 (Vdss): AO4611 的漏源最大工作电压为 60V，适用于中等电压的电源管理应用。同时，该器件还能承受高达 150°C 的工作温度，使其能够在较为严苛的工况下运行。
阈值电压 (Vgs(th)): 不同 Id 下的 Vgs(th) 最大值为 3V @ 250µA，这个较低的阈值电压有助于在逻辑电平信号下快速导通，提升开关效率。
应用场景
AO4611 的特性使其适合于广泛的应用领域，包括但不限于：
电源管理: AO4611 能够用于各种电源管理电路，特别是在需要高效率的 DC-DC 转换器中，能够降低开关损耗，提高转换效率。
电动汽车: 由于其能够承受高温、高电压的特性，AO4611 适用于电动汽车的电源驱动和管理系统。
消费电子产品: 该 MOSFET 可用于智能手机、平板电脑等消费电子产品中，作为信号开关和电源控制，帮助提升设备的能效和续航。
工业控制: 在工业自动化设备中，AO4611 也可以作为开关元件，控制电机和其他负载。
总结
AO4611 结合了优异的电气性能和广泛的适应性，是电子设计中一款极具价值的 MOSFET 选择。无论是在对小型化、高效率的要求下，还是对高温和不同工作条件的耐受能力，AO4611 都能有效满足设计者的需求。借助其双通道的设计，AO4611 进一步提高了电路设计的灵活性和经济性，是现代电子产品设计中的一款理想元件。