AON7421 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AON7421

商品编码: BM0000285108
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3.3x3.3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
0.15g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.2W;83W 20V 30A;50A 1个P沟道 DFN(3.3x3.3)
库存 :
231(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.34
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.34
--
100+
¥1.88
--
750+
¥1.67
--
1500+
¥1.58
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7421参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)50A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.6mΩ@10V,20A
功率(Pd)83W阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)135nC@10V输入电容(Ciss@Vds)50pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)563pF@10V工作温度-55℃~+150℃

AON7421手册

AON7421概述

AON7421 产品概述

AON7421 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为高电流和高电压应用设计。其主要特点包括:漏源电压(Vdss)为 20V,能够承受较大的电压波动;连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 30A,具有优越的电流承载能力;在 10V 的栅极驱动电压下,其漏源导通电阻仅为 4.6mΩ,能有效降低开关损耗,提升系统的整体效率。

主要参数

  1. 漏源电压(Vdss):20V

    • AON7421 设计用于需要承受高土电压的应用场合,同时保障了设备的正常运行。
  2. 连续漏极电流(Id):30A(25°C 时)

    • 该 MOSFET 显示出卓越的热稳定性和负载能力,适用于电池管理、DC-DC 转换器等需要高电流控制的场景。
  3. 栅源极阈值电压:1.2V @ 250µA

    • 其低阈值电压确保了在低电压驱动情况下也能实现快速的开关响应,提高了设备的工作效率。
  4. 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 20A, 10V

    • 极低的导通电阻意味MOSFET在工作时产生的发热量相对较低,有助于提升散热性能,并节约能量。
  5. 最大功率耗散:6.2W(Ta=25°C)

    • 标明了该 MOSFET 在额定温度下所能承受的最大功率,有助于在设计电路时合理配置散热方案。
  6. 类型:P 沟道

    • P 沟道 MOSFET 适合于高侧开关应用,能够在较大电压和电流条件下顺利工作。
  7. 封装:DFN3.3x3.3-8L

    • 该封装尺寸紧凑,便于集成在高密度电路板中,适合各种现代电子设备应用。

应用场景

由于 AON7421 的高性能特性,它适用于多种不同的应用场景:

  1. 电池管理系统

    • AON7421 可用于电池充电和放电控制,确保系统在高电流传输时依然保持高效安全。
  2. DC-DC 转换器

    • 在 DC-DC 转换器中,AON7421 可作为开关元件,帮助提升转换效率并降低能耗。
  3. 电机驱动

    • 用于控制电机的高侧开关,能够实现灵活且高效的电机转速调节。
  4. LED 驱动

    • 在 LED 照明系统中,可以用作驱动器件,以提升电源转换效率。
  5. 通讯设备

    • 在通讯基站和设备的电源管理中,可以帮助提升功效,保证长期稳定工作。

总结

AON7421 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,其出色的电气特性和适应广泛应用场景,使其成为设计高效能、低耗能电路的理想选择。无论是在电池管理、DC-DC 转换还是电机控制中,AON7421 都能够提供稳定且可靠的解决方案,助力现代电子设备的高效运行。通过利用 AON7421,设计师能够简化电路设计,降低系统能耗,提高应用的整体性能。