类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 83W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 135nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 563pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AON7421 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为高电流和高电压应用设计。其主要特点包括:漏源电压(Vdss)为 20V,能够承受较大的电压波动;连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 30A,具有优越的电流承载能力;在 10V 的栅极驱动电压下,其漏源导通电阻仅为 4.6mΩ,能有效降低开关损耗,提升系统的整体效率。
漏源电压(Vdss):20V
连续漏极电流(Id):30A(25°C 时)
栅源极阈值电压:1.2V @ 250µA
漏源导通电阻:4.6mΩ @ 20A, 10V
最大功率耗散:6.2W(Ta=25°C)
类型:P 沟道
封装:DFN3.3x3.3-8L
由于 AON7421 的高性能特性,它适用于多种不同的应用场景:
电池管理系统:
DC-DC 转换器:
电机驱动:
LED 驱动:
通讯设备:
AON7421 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,其出色的电气特性和适应广泛应用场景,使其成为设计高效能、低耗能电路的理想选择。无论是在电池管理、DC-DC 转换还是电机控制中,AON7421 都能够提供稳定且可靠的解决方案,助力现代电子设备的高效运行。通过利用 AON7421,设计师能够简化电路设计,降低系统能耗,提高应用的整体性能。