晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 1.56W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | 特征频率(fT) | 10MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:MJD350-13 PNP 晶体管
MJD350-13是一款高性能PNP型晶体管,具备卓越的电气特性和广泛的应用潜力。该器件由知名半导体供应商DIODES(美台)生产,适用于对高功率和高电压要求的电路设计。其额定功率为15W,集电极电流最大值可达500mA,使其在各种电子设备中成为理想的选择。
1. 核心规格
2. 工作环境
MJD350-13的工作温度范围为-55°C至150°C,这一宽温度范围使其能够在极端环境中应用,确保其稳定性和可靠性。这种特性非常适合创造复杂的电子系统,如汽车电子、工业控制和其他高要求的应用场景。
3. 封装与安装
本产品采用TO-252-2封装形式,该形式为表面贴装型,有助于实现更高的集成度和更有效的空间利用。TO-252封装设计的优势在于其较低的热阻,有助于实现提高的散热性能,且由两个引脚与接片组成,使其在电路设计中易于处理。
4. 应用领域
MJD350-13广泛应用于不同领域:
5. 设计考虑
在设计使用MJD350-13的电路时,工程师需要注意其导通电阻和所需的驱动电流,以确保在其电流范围内实现最佳性能。因此,适当选择基极电阻值并考虑散热措施是确保其长期稳定工作的关键。
总结
MJD350-13作为PNP型晶体管,不仅提供了出色的电气性能,还因其宽泛的应用范围和高可靠性在现代电子设计中多数应用中占据重要位置。无论是在电源管理、信号放大还是开关电路方面,MJD350-13都将为电子工程师提供不可或缺的支持和 Lösungen。这使得MJD350-13成为满足多种设计需求的高品质元器件。