晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMSTA06-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为各类电子应用设计,尤其是在高频和低功耗设备中表现卓越。该器件具有较高的集电极电流 (Ic) 容量、优越的电压特性及低饱和压降,适合开发高效能的电子电路。其主要参数和特性如下所述。
选择 MMSTA06-7-F 的原因在于其综合性能优势,特别是在功耗、频率响应和工作温度范围的投资回报比,使其在市场上具备较强的竞争力。DIODES(美台)的品牌信誉和品质保证为最终用户提供了额外的保障。
MMSTA06-7-F 是一款出色的 NPN 晶体管,结合了高性能的电气特性、优良的环境适应性与便捷的封装形式,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。它的广泛应用前景及优越的性能,尤其在高频和高效能需求的场合,使其成为工程师和设计师的理想选择。