NX3008NBKW,115

NX3008NBKW,115 产品概述

概述

NX3008NBKW,115 是一款高性能的 N 振荡 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件供应商安世（Nexperia）生产，专为各种电子应用而设计。该器件采用 SOT-323 封装，外形紧凑，非常适合需要节省空间的电路设计。NX3008NBKW,115 的主要特点包括最大漏源电压为 30V，连续漏极电流为 350mA，低导通电阻和优越的热性能，广泛应用于开关电源、LED 驱动、信号开关等场合。

主要参数

1. 漏源电压（Vdss）: NX3008NBKW,115 的最大漏源电压为 30V，这使得它能够在中等电压环境下有效工作，为设计提供灵活性。

2. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下，该器件的最大连续漏极电流为 350mA，适合低功率的应用场景。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 电压值为 1.1V @ 250µA，意味着在很低的电压下此器件即可被有效驱动，利于设计更为节能的电路。

4. 导通电阻（Rds(on)）: 在 350mA 和 4.5V 的操作下，该器件的漏源导通电阻仅为 1.4Ω，具备良好的导电性能。这意味着在开关状态下可以大大减少因电阻引起的功率损失。

5. 功率耗散: NX3008NBKW,115 在 25°C 的最大功率耗散为 260mW，工作条件下最大功率耗散可达 830mW（在组件温度上限下）。这使其在长时间运行时能够有效地管理热量。

6. 工作温度范围: 该器件可在 -55°C 到 150°C 的宽广温度范围内工作，确保在极端环境中保持系统的可靠性。

7. 封装类型: 采用小型 SOT-323 封装，极大地减少了 PCB 上的空间需求，是现代电子产品设计优选的封装形式。

应用场景

NX3008NBKW,115 适用的场景广泛，以下为几种主要应用：

1. 开关电源: 由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，NX3008NBKW,115 在开关电源电路中可以起到高效开关的作用，从而提升电源的整体效率。

2. LED 驱动: 在 LED 驱动电路中，该 MOSFET 可作为开关器件，实现对 LEDs 的精确控制，保证稳定的光输出。

3. 信号开关: 该器件还可以应用于信号开关电路中，低阈值电压和高开关速度使得它在高速数字信号传输中表现出色。

4. 电机驱动: 在小功率电机驱动中，NX3008NBKW,115 可用作逆变器中的开关元件，推动电机的高效运行。

结论

NX3008NBKW,115 是一款可靠、有效且功能丰富的 N 通道 MOSFET，结合其优越的电气性能、优秀的热性能和小巧的封装设计，使得其在多种电子应用中展现出极大的优势。无论是在开关电源、LED 驱动还是信号开关等应用中，NX3008NBKW,115 都能满足现代电子系统对高性能、高效率和安全性的需求。对于设计工程师而言，选择 NX3008NBKW,115 无疑是实现高效电路设计的明智之选。