ZXM61N02FTA

产品概述：ZXM61N02FTA N沟道MOSFET

一、引言

ZXM61N02FTA是一款由美台（DIODES）推出的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。它采用SOT-23表面贴装封装，具有低导通电阻、高驱动电流能力和广泛的工作温度范围，非常适合于各种功率管理和开关应用。

二、基本规格

ZXM61N02FTA的主要电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）：20V
• 连续漏极电流（Id，25°C时）：1.7A
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：700mV @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：180mΩ @ 930mA，4.5V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW
• 驱动电压（最小Rds(on)和最大Rds(on)）：2.7V和4.5V
• 栅极电荷（Qg）：3.4nC @ 4.5V
• 输入电容（Ciss）：160pF @ 15V
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装类型：SOT-23-3

三、产品特性

1. 优越的导通性能：ZXM61N02FTA在930mA的操作电流下导通电阻为180mΩ，这使得其在低电压和小型设备中提供了卓越的效率，减少了功耗和热量产生。

2. 高电流承载能力：该MOSFET能够持续承受到1.7A的漏极电流，适用于电源切换、驱动电机、LED照明和其它功率需求较高的应用场合。

3. 广泛的工作温度：工作温度范围从-55°C到150°C，可以满足各种严苛环境应用，比如汽车电子、工业控制和消费电子设备。

4. 灵活的驱动电压：ZXM61N02FTA能够在2.7V到4.5V的栅极驱动电压下实现最佳的导通状态，为设计提供了极大的灵活性，兼容多种控制电路和驱动器。

5. 小型封装设计：采用SOT-23-3的小型表面贴装封装，ZXM61N02FTA适合集成在空间受限的电路板中，适于便携式电子设备和紧凑型设计。

四、应用领域

ZXM61N02FTA广泛应用于以下领域：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统。
• 信号开关：在数字电子设备中用作信号切换和平衡电路。
• 驱动器：用于驱动电机、继电器和闪光灯等负载。
• 汽车电子：使用其作电子驱动和控制模块，在汽车的各种控制系统中可靠运行。
• 消费电子：如手机、平板电脑和家用电器中的电源开关应用。

五、总结

ZXM61N02FTA N沟道MOSFET结合了低导通电阻、较高的电流承载能力及小型化设计，成为各类电子设备供电管理与开关控制的理想选择。其优异的性能和广泛的适应性使其在众多电子应用中展现出极为重要的作用。

对于需要高效率、低功耗和小型封装的设计师而言，ZXM61N02FTA无疑是一个极具吸引力的解决方案。选择ZXM61N02FTA，意味着您将能构建更为高效和可靠的电子系统。