ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA 产品概述

产品简介

ZXM61N03FTA 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它在各种电子电路中广泛应用，尤其适合需要高效开关组件的场合。该MOSFET 的参数使其非常适合用于电源管理、负载开关和其他需要高开关速度和低导通损耗的应用。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 30V，适合低到中电压的应用，确保器件在正常工作范围内运行。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，该模型支持最大连续漏极电流为 1.4A，这为许多电源管理应用提供了足够的电流处理能力。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的驱动电压下，漏源导通电阻最低可达 220mΩ @ 910mA，表明在导通状态下的能量损失较小，从而提高整体能效。

栅源电压及阈值

• 栅源极阈值电压: 栅源阈值电压（Vgs(th)）为 1V @ 250µA，这意味着该器件在较低的栅源电压下就可以有效导通，非常适合低压驱动电路应用。
• 驱动电压范围: 该器件支持的驱动电压从 4.5V 到 10V，可以使用多种标准信号电压进行驱动，使其在各种应用场景下适应性强。

频率响应和电容参数

• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 150pF @ 25V，这表示该 MOSFET 能够在高频应用中保持较好的工作性能，对于 PWM（脉宽调制）控制电路尤为重要。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 条件下，栅极电荷为 4.1nC，反映该器件在开关频率高时的快速响应能力。较小的栅极电荷减小了驱动功耗，提高了效率。

功耗和热管理

• 最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 625mW @ 25°C，确保在适当的散热管理下，它能够稳定工作。
• 工作温度范围: ZXM61N03FTA 的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，适应了各种严苛环境条件的要求，特别适用于工业和汽车电子应用。

封装与安装

• 封装类型: ZXM61N03FTA 采用 SOT-23-3 表面贴装型封装，体积小巧，有利于密集型电路板设计。该封装的引脚间距和尺寸使其兼容大多数现代 PCB 排布。
• 安装方式: 表面贴装形式使得该器件易于自动化焊接，适合批量生产，也便于设计工程师在电路中方便集成。

典型应用

ZXM61N03FTA 广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于：

• 电源开关
• DC-DC 转换器
• 照明控制
• 电机驱动
• 负载开关

由于其低导通电阻、适度的电流能力以及广泛的工作温度范围，ZXM61N03FTA 是一个理想的选择，旨在提高系统的效率并降低功耗。

总结

ZXM61N03FTA 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，适合多种应用场景。其结构设计和参数使其能够满足现代电子设备对高效、低功耗和高可靠性的要求。通过合理的设计，ZXM61N03FTA 可以为各种电子产品提供强大的支持，是电子设计中不可或缺的组件之一。