ZXMP6A18KTC
ZXMP6A18KTC参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.8A | 漏源导通电阻 | 55mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.15W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1580pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 2.15W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
ZXMP6A18KTC手册
ZXMP6A18KTC概述
产品概述：ZXMP6A18KTC P沟道MOSFET
ZXMP6A18KTC 是一款专为各种电子应用设计的 P沟道 MOSFET，适合对漏源电压、漏极电流以及功率耗散有一定要求的电路。这款元器件结合了高性能与可靠性，使其成为电源管理、开关控制以及其他高输入电压应用的理想选择。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 6.8A（在 25°C 环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 55mΩ @ 3.5A, 10V
- 最大功率耗散: 2.15W（在 25°C 下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: TO-252（DPAK）
设计与技术特点
ZXMP6A18KTC 采用了先进的金属氧化物半导体技术制作，具有多个优越特性。其低漏源导通电阻在开关状态下能够有效减少功耗，提高系统的整体效率。此外，其最大功率耗散达到 2.15W，允许该件组件在较高的负载下运行而不发生过热，增强了其在相对严苛环境中稳定工作的能力。
该元器件的栅源极阈值电压仅为 1V，表明它可以在较低的驱动电压下实现导通，这使它适应于多种低电压场合，这也减少了外部驱动电路的复杂性与功耗。ZXMP6A18KTC 的输入电容（Ciss）最大为 1580pF @ 30V，具备良好的频率响应，适合高频开关应用。
应用场景
ZXMP6A18KTC 可广泛应用于以下领域：
电源管理: 由于其高压和高电流能力，它非常适合电源转换应用，包括 DC-DC 转换器和电源分配模块。
开关控制电路: 该 MOSFET 可作为开关元件，用于电机驱动、灯光控制及其他负载开关应用。
电池管理系统: 其宽工作温度范围及可靠的性能使其在电池保护电路和充电设备中也表现出色。
消费电子: 在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，ZXMP6A18KTC 能够帮助优化功率管理系统，延长电池续航。
封装与安装
ZXMP6A18KTC 采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装结构不仅有助于良好的散热性能，还便于表面贴装（SMD），适用于自动化生产线和高密度电路板。其引脚设计也方便与其他元件连接，优化了空间利用率。
总结
总的来说，ZXMP6A18KTC 是一款性能卓越的 P沟道 MOSFET，其高电压、高电流、低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其成为各类电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在电源管理还是开关控制领域，ZXMP6A18KTC 都能够提供高效、稳定的表现，为设计者提供更多的设计灵活性和可靠性。