
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 直流电流增益(hFE) | 45 |
| 特征频率(fT) | 120MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 195mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 数量 | 1个PNP |
ZXTP2012GTA是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能PNP型晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,适用于各类电子电路。它具有出色的电流承载能力和较低的饱和压降,在各类应用中展现了其广泛的适用性和高效能。
ZXTP2012GTA由于其优越的电气特性,广泛应用于以下领域:
ZXTP2012GTA PNP三极管凭借其优越的电气特性和稳定性,成为众多电子设计工程师在选择元器件时的理想选择。无论是在高频开关、功率放大还是信号处理应用中,其全方位的适用性和可靠性都使其在电子产品开发和创新中发挥了重要的作用。通过结合先进的材料和制造工艺,ZXTP2012GTA为各种电子应用提供了强大的性能和灵活的设计空间,助力未来的科技发展与创新。