PDTC114ET,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC114ET,215

商品编码: BM0000285385
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
741399(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.27
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.27
--
200+
¥0.0899
--
1500+
¥0.0563
--
3000+
¥0.0446
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC114ET,215参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.8V@10mA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.1V@100uA,5V
电阻比率1工作温度-65℃~+150℃

PDTC114ET,215手册

PDTC114ET,215概述

产品概述:PDTC114ET,215

一、简介

PDTC114ET,215 是由安世(Nexperia)推出的一款高性能NPN数字晶体管,广泛应用于各种电子产品中。这款晶体管采用SOT-23-3的表面贴装封装形式,提供了出色的电气性能和低功耗特性,适合应用于开关电路、放大电路、信号处理等多种场合。

二、基本参数

  • 额定功率:250mW
  • 集电极电流 (Ic):最大100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大50V
  • DC电流增益 (hFE):在Ic=5mA和Vce=5V时,hFE的最小值为30
  • 基极电阻 (R1):10 kΩ
  • 发射极电阻 (R2):10 kΩ
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在Ib=500µA和Ic=10mA时,最大饱和压降为150mV
  • 集电极截止电流:最大1µA
  • 跃迁频率:230MHz

三、封装和安装

PDTC114ET,215晶体管采用SOT-23封装,具有良好的散热性能和较小的体积。这种表面贴装型(SMD)设计使得晶体管在空间有限的应用中表现优异,能够轻松集成到各种紧凑型电子设备中。此外,TO-236AB供应商器件封装提供了更加灵活的应用选择,便于在 PCB 设计中进行布局。

四、应用场景

PDTC114ET,215 的多种电子性能使其适用于多种应用场景:

  1. 信号放大:由于其较高的DC电流增益,PDTC114ET,215 可以用于音频放大器或者低功耗无线通信设备中,能够有效地处理信号。

  2. 开关电路:得益于其良好的饱和压降表现,这款晶体管在开关电源、电动机驱动及其他需要快速开关的电路中具备优越的性能。

  3. 数字电路:由于具备较高的跃迁频率,PDTC114ET,215 适合用于高频数字电路,能够满足快速开关与信号处理的需求。

  4. 传感器和控制领域:在各种传感器控制与信号处理应用中,PDTC114ET,215 的小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择。

五、优势与特点

  • 高功率处理能力:PDTC114ET,215 的额定功率为250mW,适合在小型电子设备中长期工作。
  • 节能设计:低饱和压降(最大150mV)和低截止电流,使得此晶体管在工作时更加高效,减少能耗。
  • 宽电压范围:最大集射极击穿电压为50V,能够适应各种不同的工作环境。
  • 出色的频率响应:230MHz的跃迁频率表明,这款晶体管在高频应用中的表现优异,能够快速响应信号变化。

六、结语

总之,PDTC114ET,215 是一款非常出色的NPN数字晶体管,凭借其优异的电气性能、紧凑的封装及广泛的应用可能,为现代电子产品的设计和实现提供了可靠的选择。无论是在消费电子、通信设备、还是工业控制领域,PDTC114ET,215 都能够满足用户的高性能需求,是值得投资的先进元器件。