集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 250mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.8V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
PDTC114ET,215 是由安世(Nexperia)推出的一款高性能NPN数字晶体管,广泛应用于各种电子产品中。这款晶体管采用SOT-23-3的表面贴装封装形式,提供了出色的电气性能和低功耗特性,适合应用于开关电路、放大电路、信号处理等多种场合。
PDTC114ET,215晶体管采用SOT-23封装,具有良好的散热性能和较小的体积。这种表面贴装型(SMD)设计使得晶体管在空间有限的应用中表现优异,能够轻松集成到各种紧凑型电子设备中。此外,TO-236AB供应商器件封装提供了更加灵活的应用选择,便于在 PCB 设计中进行布局。
PDTC114ET,215 的多种电子性能使其适用于多种应用场景:
信号放大:由于其较高的DC电流增益,PDTC114ET,215 可以用于音频放大器或者低功耗无线通信设备中,能够有效地处理信号。
开关电路:得益于其良好的饱和压降表现,这款晶体管在开关电源、电动机驱动及其他需要快速开关的电路中具备优越的性能。
数字电路:由于具备较高的跃迁频率,PDTC114ET,215 适合用于高频数字电路,能够满足快速开关与信号处理的需求。
传感器和控制领域:在各种传感器控制与信号处理应用中,PDTC114ET,215 的小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择。
总之,PDTC114ET,215 是一款非常出色的NPN数字晶体管,凭借其优异的电气性能、紧凑的封装及广泛的应用可能,为现代电子产品的设计和实现提供了可靠的选择。无论是在消费电子、通信设备、还是工业控制领域,PDTC114ET,215 都能够满足用户的高性能需求,是值得投资的先进元器件。