PMPB11EN,115

PMPB11EN,115 产品概述

一、简介

PMPB11EN,115 是一款高性能 N-channel MOSFET（气场效应管），由安世（Nexperia）公司推出。作为一款表面贴装型元件，该 MOSFET 采用 DFN2020MD-6 封装形式，具有较小的体积和优秀的热性能，适用于各种电子电路中的开关和放大应用。其设计旨在提供高效的电源管理和信号调理，能够满足现代电子设备日益增长的能效要求。

二、核心参数

1. 电气特性:

   • 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 30V 的漏源电压，使其适用于多种电源电路中。
   • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，连续漏极电流达到 9A，这使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。
   • 导通电阻 (Rds(on)): 选用 10V 驱动电压下，导通电阻最大值仅为 14.5毫欧，确保在高电流操作时具有最低的功率损耗。

2. 控制特性:

   • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 在 250 µA 的漏电流下，其栅极阈值电压最大值为 2V，可以实现低电压驱动，适应更多控制电路。
   • 栅极电荷 (Qg): 20.6 nC 的最大栅极电荷值确保快速开关性能，适合高频应用。

3. 工作范围:

   • 工作温度: 可在 -55°C 到 150°C 的宽广温度范围内工作，使其适合在极端环境下使用。
   • 功率耗散: 最大功率耗散能力为 1.7W（在环境温度下）至 12.5W（在结温下），能够有效管理设备发热。

三、应用领域

由于其优异的性能指标，PMPB11EN,115 在以下领域中具有广泛的应用潜力：

1. 电源管理: 高效的开关电源和 DC-DC 转换器的功率开关；
2. 电动汽车: 作为电机驱动控制器中的功率开关，有效提升系统的能效；
3. 消费电子: 用于便携式设备的电源管理，加快充电速度并延长电池寿命；
4. 工业自动化: 在继电器驱动和机器人控制等应用中负责高效的电流开关。

四、封装与安装

PMPB11EN,115 采用 DFN2020MD-6 封装，该封装特征为 6 引脚的裸露焊盘设计，有助于有效散热与更好的电路布局。表面贴装（SMD）技术使得该器件能够实现更高的生产速率，并且在现代电子设备中更为便捷的引脚布局。

五、总结

总的来说，PMPB11EN,115 是一款集高功率、高效率与广泛适用性于一体的 N-channel MOSFET。它具备极好的导电性、优秀的热管理能力以及广泛的工作温度范围，能够在各种苛刻的应用环境中稳定运行。作为 Nexperia 提供的一款高性价比电子元器件，PMPB11EN,115 无疑是设计师和工程师进行电路优化时的理想选择。选择PMB11EN,115，保证您设计的设备在功率效能、可靠性和工作寿命方面都能达到最优状态。