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PMPB11EN,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PMPB11EN,115

商品编码: BM0000285403
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN2020MD-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOS场效应管 PMPB11EN,115 SOT-1220
库存 :
25520(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.617
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.617
--
200+
¥0.426
--
1500+
¥0.386
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMPB11EN,115参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14.5 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)20.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)840pF @ 10V
功率耗散(最大值)1.7W(Ta),12.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装DFN2020MD-6
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

PMPB11EN,115手册

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PMPB11EN,115概述

PMPB11EN,115 产品概述

一、简介

PMPB11EN,115 是一款高性能 N-channel MOSFET(气场效应管),由安世(Nexperia)公司推出。作为一款表面贴装型元件,该 MOSFET 采用 DFN2020MD-6 封装形式,具有较小的体积和优秀的热性能,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。其设计旨在提供高效的电源管理和信号调理,能够满足现代电子设备日益增长的能效要求。

二、核心参数

  1. 电气特性:

    • 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 30V 的漏源电压,使其适用于多种电源电路中。
    • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下,连续漏极电流达到 9A,这使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。
    • 导通电阻 (Rds(on)): 选用 10V 驱动电压下,导通电阻最大值仅为 14.5毫欧,确保在高电流操作时具有最低的功率损耗。
  2. 控制特性:

    • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 在 250 µA 的漏电流下,其栅极阈值电压最大值为 2V,可以实现低电压驱动,适应更多控制电路。
    • 栅极电荷 (Qg): 20.6 nC 的最大栅极电荷值确保快速开关性能,适合高频应用。
  3. 工作范围:

    • 工作温度: 可在 -55°C 到 150°C 的宽广温度范围内工作,使其适合在极端环境下使用。
    • 功率耗散: 最大功率耗散能力为 1.7W(在环境温度下)至 12.5W(在结温下),能够有效管理设备发热。

三、应用领域

由于其优异的性能指标,PMPB11EN,115 在以下领域中具有广泛的应用潜力:

  1. 电源管理: 高效的开关电源和 DC-DC 转换器的功率开关;
  2. 电动汽车: 作为电机驱动控制器中的功率开关,有效提升系统的能效;
  3. 消费电子: 用于便携式设备的电源管理,加快充电速度并延长电池寿命;
  4. 工业自动化: 在继电器驱动和机器人控制等应用中负责高效的电流开关。

四、封装与安装

PMPB11EN,115 采用 DFN2020MD-6 封装,该封装特征为 6 引脚的裸露焊盘设计,有助于有效散热与更好的电路布局。表面贴装(SMD)技术使得该器件能够实现更高的生产速率,并且在现代电子设备中更为便捷的引脚布局。

五、总结

总的来说,PMPB11EN,115 是一款集高功率、高效率与广泛适用性于一体的 N-channel MOSFET。它具备极好的导电性、优秀的热管理能力以及广泛的工作温度范围,能够在各种苛刻的应用环境中稳定运行。作为 Nexperia 提供的一款高性价比电子元器件,PMPB11EN,115 无疑是设计师和工程师进行电路优化时的理想选择。选择PMB11EN,115,保证您设计的设备在功率效能、可靠性和工作寿命方面都能达到最优状态。