注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PMPB11EN,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN2020MD-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
MOS场效应管 PMPB11EN,115 SOT-1220
库存 :
25520(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.617按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.617
--
200+
￥0.426
--
1500+
￥0.386
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMPB11EN,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
PMPB11EN,115手册
无数据
PMPB11EN,115概述
PMPB11EN,115 产品概述
一、简介
PMPB11EN,115 是一款高性能 N-channel MOSFET（气场效应管），由安世（Nexperia）公司推出。作为一款表面贴装型元件，该 MOSFET 采用 DFN2020MD-6 封装形式，具有较小的体积和优秀的热性能，适用于各种电子电路中的开关和放大应用。其设计旨在提供高效的电源管理和信号调理，能够满足现代电子设备日益增长的能效要求。
二、核心参数
电气特性:
- 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 30V 的漏源电压，使其适用于多种电源电路中。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，连续漏极电流达到 9A，这使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。
- 导通电阻 (Rds(on)): 选用 10V 驱动电压下，导通电阻最大值仅为 14.5毫欧，确保在高电流操作时具有最低的功率损耗。
控制特性:
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 在 250 µA 的漏电流下，其栅极阈值电压最大值为 2V，可以实现低电压驱动，适应更多控制电路。
- 栅极电荷 (Qg): 20.6 nC 的最大栅极电荷值确保快速开关性能，适合高频应用。
工作范围:
- 工作温度: 可在 -55°C 到 150°C 的宽广温度范围内工作，使其适合在极端环境下使用。
- 功率耗散: 最大功率耗散能力为 1.7W（在环境温度下）至 12.5W（在结温下），能够有效管理设备发热。
三、应用领域
由于其优异的性能指标，PMPB11EN,115 在以下领域中具有广泛的应用潜力：
- 电源管理: 高效的开关电源和 DC-DC 转换器的功率开关；
- 电动汽车: 作为电机驱动控制器中的功率开关，有效提升系统的能效；
- 消费电子: 用于便携式设备的电源管理，加快充电速度并延长电池寿命；
- 工业自动化: 在继电器驱动和机器人控制等应用中负责高效的电流开关。
四、封装与安装
PMPB11EN,115 采用 DFN2020MD-6 封装，该封装特征为 6 引脚的裸露焊盘设计，有助于有效散热与更好的电路布局。表面贴装（SMD）技术使得该器件能够实现更高的生产速率，并且在现代电子设备中更为便捷的引脚布局。
五、总结
总的来说，PMPB11EN,115 是一款集高功率、高效率与广泛适用性于一体的 N-channel MOSFET。它具备极好的导电性、优秀的热管理能力以及广泛的工作温度范围，能够在各种苛刻的应用环境中稳定运行。作为 Nexperia 提供的一款高性价比电子元器件，PMPB11EN,115 无疑是设计师和工程师进行电路优化时的理想选择。选择PMB11EN,115，保证您设计的设备在功率效能、可靠性和工作寿命方面都能达到最优状态。