PSMN7R0-30YL,115
PSMN7R0-30YL,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 76A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1270pF @ 12V |
| 功率耗散（最大值） | 51W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN7R0-30YL,115手册
PSMN7R0-30YL,115概述
PSMN7R0-30YL,115 产品概述
一、产品简介
PSMN7R0-30YL,115 是由知名电子元器件制造商 Nexperia（安世半导体）出品的一款高性能 N 通道 MOSFET，其最大漏源电压为 30V，适用于高功率和高频次的开关电源应用。该元件采用先进的半导体技术，能够在多种严苛环境下稳定工作，具有优良的导通阻抗和快速的开关特性。这使得 PSMN7R0-30YL,115 成为电源管理、电机驱动、LED 驱动以及其他需要高效率开关的电子设备中的理想选择。
二、关键特性
技术和类型： PSMN7R0-30YL,115 是一款 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物半导体技术（MOSFET），在许多应用中能够提供低导通阻抗和高电流承载能力。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，确保其在高电压环境下的安全操作。
- 导通电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，其连续漏极电流达到 76A（当结温 Tc 为 25°C 时），适合大功率负载的驱动。
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻最大值仅为 7 毫欧（在 15A 的电流下），这使得该 MOSFET 在通电时几乎没有能量损耗，能够有效提高系统的整体效率。
阈值电压和驱动电压：
- Vgs(th): 最大阈值电压为 2.15V（1mA），在此电压下 MOSFET 开始导通，便于设计时选择驱动电压。
- 驱动电压: 该器件的驱动电压范围在 4.5V 至 10V，这一灵活性使其能够与多种控制电路兼容。
功率和热管理： PSMN7R0-30YL,115 的最大功率耗散为 51W，并且具备-55°C 到 175°C 的工作温度范围，有益于在各种环境下的长时间稳定操作，也给设计工程师在热管理和系统设计上提供了便利。
封装类型： 该器件采用 LFPAK-56-5 表面贴装型封装，适合自动化生产和高密度的 PCB 布局，这为紧凑设计提供了支持。
三、应用领域
PSMN7R0-30YL,115 功能优异，广泛应用于以下领域：
电源转换器：广泛用于开关电源（SMPS）中，提供增强的开关效率，并减少热损耗。
电机驱动：用于直流电机和步进电机驱动电路，提供可控的电流和电压，从而实现高效的电机控制。
LED 驱动：用于 LED 照明和显示应用，能够有效控制流向 LED 的电流，提升照明效率和光效。
功率管理：在各种便携式或嵌入式设备中，PSMN7R0-30YL,115 可作为高效的电源开关，提升系统的工作效率并降低能源消耗。
四、总结
PSMN7R0-30YL,115 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通阻抗和高可靠性，适用于各种高功率电子应用。这款器件不仅满足工业标准，还为设计人员提供了高度的灵活性与性能。同时，Nexperia 的背书也为其市场应用提供了额外的保证，确保其在各个电子领域的广泛使用。无论是从性能、可靠性还是环境适应性来看，PSMN7R0-30YL,115 都是一款值得投资的优质产品。